[发明专利]晶花干粒釉及使用该晶花干粒釉制得的定位晶花陶瓷砖有效

专利信息
申请号: 201911107581.8 申请日: 2019-11-13
公开(公告)号: CN110759641B 公开(公告)日: 2021-11-16
发明(设计)人: 潘利敏;王贤超;汪陇军;杨元东;郑贵友 申请(专利权)人: 蒙娜丽莎集团股份有限公司
主分类号: C03C8/08 分类号: C03C8/08;C04B41/86
代理公司: 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 代理人: 曹芳玲;熊子君
地址: 528211 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 晶花干粒釉 使用 晶花干粒釉制 定位 陶瓷砖
【说明书】:

本发明公开一种晶花干粒釉及使用该晶花干粒釉制得的定位晶花陶瓷砖。所述晶花干粒釉的原料包括:按质量百分比计,钾长石53~63%,石英:10~14%,方解石:11~15%,白云石:0~4%,氧化锌:10~12%,碳酸钡:0~2%,碳酸锶:2~4%。根据本发明,能够提供一种定位晶花陶瓷砖,其具有双层图案效果,釉下有高清的墨水图案层次,釉中有独具艺术效果的定位晶花图案层。

技术领域

本发明涉及一种晶花干粒釉、使用该晶花干粒釉制得的具有定位晶花效果的陶瓷砖及其制备方法,属于陶瓷砖生产制造技术领域。

背景技术

近年来,建筑陶瓷生产技术得到了飞速的发展,各种新工艺、新配方得到不断的应用,墙地砖装饰效果的精细化、个性化成为陶瓷企业实现产品差异化的迫切需求。晶花釉是通过在釉中析出晶体从而在釉面形成美丽花纹效果的一类高档艺术釉,其独特的艺术装饰效果,极具观赏价值,很受市场的青睐,主要应用于日用陶瓷。

中国专利CN104311155 A公开了一种结晶釉瓷砖及其生产方法,将结晶熔块和晶种施布在常规瓷质砖坯上,升温至1130~1200℃,保温10~30min,接着降温至1000~1080℃,在此温度下保温1~2h,制得具有明显晶花效果的结晶釉瓷砖。采用此工艺生产的晶花砖烧成时间长,烧成条件苛刻,很难在建筑陶瓷目前的烧成制度条件下批量性生产,且生产成本高。中国专利CN102936156A公开了一种高温快烧结晶釉仿古砖的釉料及制备工艺。此工艺采用喷结晶有色基釉后再用丝网通网印刷结晶剂熔块干粒,再采用丝网印刷透明或有色干粒在辊道窑快速烧成即可得到不同颜色的晶花效果仿古砖,但是该工艺无法将晶花效果和现代喷墨打印技术相结合,釉面装饰效果单一,无法将现代陶瓷砖的纹理效果体现出来。

发明内容

针对上述问题,本发明的目的在于提供一种晶花干粒釉、使用该晶花干粒釉制得的具有定位晶花效果的陶瓷砖及其制备方法。

第一方面,本发明提供一种晶花干粒釉,所述晶花干粒釉的原料包括:按质量百分比计,钾长石53~63%,石英:10~14%,方解石:11~15%,白云石:0~4%,氧化锌:10~12%,碳酸钡:0~2%,碳酸锶:2~4%。

较佳地,所述晶花干粒釉通过如下方法得到:将所述各原料按配比混合并在1300~1400℃的温度下熔融成玻璃液,将玻璃液水淬后加工成30~100目的干粒。

较佳地,所述晶花干粒釉的化学组成包括:按质量百分比计,SiO2:55.0~60.0%、Al2O3:9.0~11.0%、Fe2O3:0~0.15%、TiO2:0~0.1%、CaO:6.5~11.0%、MgO:0~1.5%、K2O:6.0~7.0%、Na2O:0.5~1.5%、ZnO:10.5~12.5%、BaO:0~2.0%,SrO:1.5~3.0%,烧失:0.5~1.0%。

第二方面,本发明提供一种使用上述任一晶花干粒釉制得的陶瓷砖。

第三方面,本发明提供上述陶瓷砖的制备方法,包括以下步骤:

在坯体上喷墨打印图案;

在打印有图案的坯体上定位布施晶核剂;

在布施有晶核剂的坯体上布施所述晶花干粒釉;

将布施有晶花干粒釉的坯体烧成、采用全抛工艺抛光。

本发明的晶花干粒釉始熔点高,高温粘度小,烧成范围宽,能很好与晶核剂反应,促进釉面析出大晶花,而且该晶花干粒釉利于陶瓷墨水发色。采用该晶花干粒釉的釉面透明度好,能有效展现陶瓷墨水图案的层次感、立体感,且釉面的局部位置析出了漂亮的晶花效果。

较佳地,在坯体上施喷墨发色釉后再喷墨打印图案。

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