[发明专利]临时基板及其制备方法、以及微元件的转移方法在审
申请号: | 201911108191.2 | 申请日: | 2019-11-13 |
公开(公告)号: | CN112802756A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 王岩;董小彪;夏继业;姚志博;李晓伟;曹轩;王程功 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/12;H01L21/677;H01L33/00 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 临时 及其 制备 方法 以及 元件 转移 | ||
1.一种临时基板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供衬底;
在所述衬底上涂覆未固化的模具成型材料层;
提供生长基板,其中所述生长基板上形成有微元件;
将所述衬底上的所述模具成型材料层与所述生长基板上的所述微元件进行压合,以在所述模具成型材料层上形成匹配所述微元件外形且未固化的模具槽;
固化所述模具成型材料层,以形成模具层,其中所述模具层包括已固化的所述模具槽。
2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述模具槽用于放置微元件,以在从生长基板上剥离微元件的过程中向微元件提供支撑,并且所述模具槽内部的表面形貌与所述微元件的表面形貌相互对应,以在所述临时基板和所述生长基板对接后,使得所述微元件嵌入所述模具槽,并且所述微元件的表面与所述模具槽内部的表面相互契合。
3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述将所述衬底上的所述模具成型材料层与所述生长基板上的所述微元件进行压合的步骤之前包括:
在所述生长基板上的所述微元件表面形成中间层,其中所述中间层和所述模具层之间的粘附力小于所述微元件和所述模具层之间的粘附力。
4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述中间层的材料为SiO2、金属以及光刻胶中的至少一种。
5.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述中间层覆盖所述微元件以及所述微元件所在的所述生长基板的表面。
6.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述模具槽的尺寸大于所述微元件的尺寸。
7.根据权利要求1至6任一项所述的制备方法,其特征在于,所述模具层为弹性体。
8.根据权利要求7所述的制备方法,其特征在于,所述模具层的材料为聚二甲基硅氧烷。
9.一种临时基板,其特征在于,所述临时基板应用于微元件的批量转移,所述临时基板包括:
衬底;
模具层,所述模具层设于所述衬底上,并且所述模具层包括已固化的模具槽,所述模具槽匹配所述微元件的外形。
10.一种微元件的转移方法,其特征在于,所述转移方法包括:
提供生长基板,其中所述生长基板上形成有微元件;
提供临时基板,其中所述临时基板包括衬底以及设于所述衬底上的模具层,所述模具层包括已固化的模具槽,所述模具槽匹配所述微元件的外形;
将所述生长基板和所述临时基板进行对接,使得所述微元件嵌入所述模具槽;
去除所述生长基板,进而对所述微元件进行转移。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都辰显光电有限公司,未经成都辰显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911108191.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种方便展示的电力营销展示柜
- 下一篇:轮辋精加工装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造