[发明专利]临时基板及其制备方法、以及微元件的转移方法在审
申请号: | 201911108191.2 | 申请日: | 2019-11-13 |
公开(公告)号: | CN112802756A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 王岩;董小彪;夏继业;姚志博;李晓伟;曹轩;王程功 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/12;H01L21/677;H01L33/00 |
代理公司: | 广东君龙律师事务所 44470 | 代理人: | 丁建春 |
地址: | 611731 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 临时 及其 制备 方法 以及 元件 转移 | ||
本发明涉及显示面板技术领域,公开了一种临时基板及其制备方法、以及微元件的转移方法。该制备方法包括:提供衬底;在衬底上涂覆未固化的模具成型材料层;提供生长基板,其中生长基板上形成有微元件;将衬底上的模具成型材料层与生长基板上的微元件进行压合,以在模具成型材料层上形成匹配微元件外形且未固化的模具槽;固化模具成型材料层,以形成模具层,其中模具层包括已固化的模具槽。通过上述方式,本发明能够降低微元件在剥离环节中损坏的风险。
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,特别是涉及一种临时基板及其制备方法、以及微元件的转移方法。
背景技术
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种光电半导体元件,其具有低功耗、尺寸小、亮度高、易与集成电路匹配、可靠性高等优点,作为光源被广泛应用。并且,随着LED技术的成熟,直接利用LED作为自发光显示点像素的LED显示器或Micro LED(微型发光二极管)显示器的技术也逐渐被广泛应用。
其中,Micro LED显示屏综合了TFT-LCD和LED显示屏的技术特点,其显示原理是将LED结构设计进行薄膜化、微小化、阵列化,之后将Micro LED从最初的生长衬底上剥离而后转移到接收基板上。然而,在目前的Micro LED的剥离环节中,Micro LED无法得到良好的支撑,容易导致Micro LED损坏。
发明内容
有鉴于此,本发明主要解决的技术问题是提供一种临时基板及其制备方法、以及微元件的转移方法,能够降低微元件在剥离环节中损坏的风险。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种临时基板的制备方法。该制备方法包括:提供衬底;在衬底上涂覆未固化的模具成型材料层;提供生长基板,其中生长基板上形成有微元件;将衬底上的模具成型材料层与生长基板上的微元件进行压合,以在模具成型材料层上形成匹配微元件外形且未固化的模具槽;固化模具成型材料层,以形成模具层,其中模具层包括已固化的模具槽。
在本发明的一实施例中,模具槽用于放置微元件,以在从生长基板上剥离微元件的过程中向微元件提供支撑,并且模具槽内部的表面形貌与微元件的表面形貌相互对应,以在临时基板和生长基板对接后,使得微元件嵌入模具槽,并且微元件的表面与模具槽内部的表面相互契合。
在本发明的一实施例中,将衬底上的模具成型材料层与生长基板上的微元件进行压合的步骤之前包括:在生长基板上的微元件表面形成中间层,其中中间层和模具层之间的粘附力小于微元件和模具层之间的粘附力。
在本发明的一实施例中,中间层的材料为SiO2、金属以及光刻胶中的至少一种。
在本发明的一实施例中,中间层覆盖微元件以及微元件所在的生长基板的表面。
在本发明的一实施例中,模具槽的尺寸大于微元件的尺寸。
在本发明的一实施例中,模具层为弹性体。
在本发明的一实施例中,模具层的材料为聚二甲基硅氧烷。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种临时基板。该临时基板应用于微元件的批量转移,该临时基板包括:衬底以及模具层,模具层设于衬底上,并且模具层包括已固化的模具槽,模具槽匹配微元件的外形。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种微元件的转移方法,该转移方法包括:提供生长基板,其中生长基板上形成有微元件;提供临时基板,其中临时基板包括衬底以及设于衬底上的模具层,模具层包括已固化的模具槽,模具槽匹配微元件的外形;将生长基板和临时基板进行对接,使得微元件嵌入模具槽;去除生长基板,进而对微元件进行转移。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造