[发明专利]一种絮缘蘑菇菌株及其栽培方法与应用有效
| 申请号： | 201911108594.7 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110938547B | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 梁倩倩;席亚丽;宋利茹;魏生龙 | 申请（专利权）人： | 河西学院 |
| 主分类号： | C12N1/14 | 分类号： | C12N1/14;A01H15/00;A01G18/00;A01G18/20;A01G18/40;A23L31/00;A23L33/00;C12R1/645 |
| 代理公司： | 甘肃省知识产权事务中心代理有限公司 62100 | 代理人： | 武战翠 |
| 地址： | 730400*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 蘑菇 菌株 及其 栽培 方法 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种絮缘蘑菇的栽培方法，其特征在于，具体包括以下步骤：先扩繁絮缘蘑菇的菌丝，得到母种；再将所述母种进行原种培养，得到原种；再将原种在栽培料上培养，得到栽培种，然后覆土出菇，实现絮缘蘑菇栽培；絮缘蘑菇菌株，在中国微生物菌种保藏管理委员会普通微生物中心，保藏编号为CGMCC No.18159；
上述方法中的培养基为：
菌丝培养基：马铃薯200g、葡萄糖20g、琼脂18g、蛋白胨1g、磷酸二氢钾2g、硫酸镁2g、水1000ml；
原种培养基配方：500g/瓶、麦粒97％、石膏粉1％、碳酸钙1.5％、121℃下高压灭菌2小时；
栽培料配方：500g/袋、木屑79%、高粱籽5%、玉米面5%、石膏1％，121℃下高压灭菌2小时；
菌丝培养条件：16℃避光培养30天；
原种培养条件：16-18℃下避光培养60天；
栽培料培养条件：16-18℃下避光培养90天；
出菇培养为：栽培料覆土3-5cm，栽培袋封口继续培养，温度14-18℃，待原基出现后开袋出菇，温度15-20℃，湿度80-90%。
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