[发明专利]活性光解微晶及其制备方法在审
| 申请号： | 201911109059.3 | 申请日： | 2019-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN110697861A | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 杨璠;孙晓阳 | 申请（专利权）人： | 孙晓阳 |
| 主分类号： | C02F1/68 | 分类号： | C02F1/68;A61K8/19;A61Q19/00;A61Q19/02 |
| 代理公司： | 44356 深圳市壹品专利代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 江文鑫;唐敏 |
| 地址： | 400000 重*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 微晶 活性光 复合半导体 晶格活化 倍增层 第三代 光量子 宽禁带 水分子 光解 分化过程 消毒杀菌 小分子团 依次排列 氢气 氢质子 水体系 氧原子 富含 水中 制备 氧气 光照 消毒 残留 分化 水产 | ||
1.活性光解微晶，其特征在于，包括微晶载体、比表面倍增层、第三代宽禁带复合半导体光解层以及光量子晶格活化层，所述微晶载体、比表面倍增层、第三代宽禁带复合半导体光解层以及光量子晶格活化层由内到外依次排列布置。
2.如权利要求1所述的活性光解微晶，其特征在于，所述微晶载体为石英管。
3.如权利要求2所述的活性光解微晶，其特征在于，所述比表面倍增层为石墨烯。
4.如权利要求1所述的活性光解微晶的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1)将所述微晶载体的表面激活；
2)将表面激活的所述微晶载体进行晶格表面活化；
3)将比表面倍增材料生长于晶格表面活化后的所述微晶载体的表面，形成所述比表面倍增层；
4)将第三代宽禁带复合半导体材料生长于所述比表面倍增层的表面，形成所述第三代宽禁带复合半导体光解层；
5)将所述第三代宽禁带复合半导体光解层的表面进行活化，形成所述光量子晶格活化层。
5.如权利要求4所述的活性光解微晶的制备方法，其特征在于，所述步骤1)中所述微晶载体通过共振技术实现表面激活。
6.如权利要求4所述的活性光解微晶的制备方法，其特征在于，所述步骤2)中所述微晶载体通过活化技术实现晶格表面活化。
7.如权利要求4所述的活性光解微晶的制备方法，其特征在于，所述步骤3)中所述比表面倍增材料通过键合技术键合生长于所述微晶载体的表面。
8.如权利要求4所述的活性光解微晶的制备方法，其特征在于，所述步骤4)中所述第三代宽禁带复合半导体材料通过键合技术键合生长于所述比表面倍增层的表面。
9.如权利要求4所述的活性光解微晶的制备方法，其特征在于，所述步骤5)中所述第三代宽禁带复合半导体光解层的表面通过光量子晶格活化技术进行活化。
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