[发明专利]活性光解微晶及其制备方法

说明书

本发明涉及微晶的技术领域，公开了活性光解微晶及其制备方法，包括微晶载体、比表面倍增层、第三代宽禁带复合半导体光解层以及光量子晶格活化层，微晶载体、比表面倍增层、第三代宽禁带复合半导体光解层以及光量子晶格活化层由内到外依次排列布置；将活性光解微晶放置于水中，有光照的条件下，完成水分子微分化过程，水分子微分化后，具有小分子团特性，同时形成富含氢质子、氢气、氧原子、氧气([.H]、[.OH]、[H2]、[O]、[H+]、[OH‑])等的复杂微分水体系，微分水产生的[·OH]、[O]等具有强力消毒杀菌功能，通过活性光解微晶产生的微分水，可以实现无污染地消毒杀局功能，也不会产生任何药剂残留。

技术领域

本发明专利涉及微晶的技术领域，具体而言，涉及活性光解微晶及其制备方法。

背景技术

微晶是指每颗晶粒只由几千个或几万个晶胞并置而成的晶体，从一个晶轴的方向来说这种晶体只重复了约几十个周期。微晶的比表面大，表面吸附性能、表面活性等相当突出，例如土壤中高岭土的微晶，石墨的微晶(即炭黑)等都具有较强的表面吸附能力。

传统的杀菌消毒操作主要是通过常规清洗后，再用高温或紫外线消毒杀菌或采用化学药剂消毒杀菌，高温或者紫外线消毒杀菌需要专业的设备支持，化学药剂消毒杀菌容易产生药剂残留。

由于以上的消毒杀菌方法无可避免地存在需要专业设备或额外的工作、对环境的污染、残留洗涤消毒杀菌药剂对人体的不利影响等等缺点，无法简便地实现消毒杀菌。

发明内容

本发明的目的在于提供活性光解微晶及其制备方法，旨在解决现有技术中，消毒杀菌会污染环境和产生药剂残留的问题。

本发明是这样实现的，活性光解微晶，包括微晶载体、比表面倍增层、第三代宽禁带复合半导体光解层以及光量子晶格活化层，所述微晶载体、比表面倍增层、第三代宽禁带复合半导体光解层以及光量子晶格活化层由内到外依次排列布置。

进一步地，所述微晶载体为石英管。

进一步地，所述比表面倍增层为石墨烯。

活性光解微晶的制备方法，包括以下步骤：

1)将所述微晶载体的表面激活；

2)将表面激活的所述微晶载体进行晶格表面活化；

3)将比表面倍增材料生长于晶格表面活化后的所述微晶载体的表面，形成所述比表面倍增层；

4)将第三代宽禁带复合半导体材料生长于所述比表面倍增层的表面，形成所述第三代宽禁带复合半导体光解层；

5)将所述第三代宽禁带复合半导体光解层的表面进行活化，形成所述光量子晶格活化层。

进一步地，所述步骤1)中所述微晶载体通过共振技术实现表面激活。

进一步地，所述步骤2)中所述微晶载体通过活化技术实现晶格表面活化。

进一步地，所述步骤3)中所述比表面倍增材料通过键合技术键合生长于所述微晶载体的表面。

进一步地，所述步骤4)中所述第三代宽禁带复合半导体材料通过键合技术键合生长于所述比表面倍增层的表面。

进一步地，所述步骤5)中所述第三代宽禁带复合半导体光解层的表面通过光量子晶格活化技术进行活化。