[发明专利]掩模板及掩模板的制造方法

说明书

本发明实施例公开了一种掩模板及掩模板的制造方法，该掩模板包括透光区，至少部分透光区内设有透光层，该透光层内设有金属有机框架聚合物。其中，金属有机框架聚合物的金属离子和有机桥配体之间存在电荷转移，通过调控金属元素和有机配体种类能够优化材料发光性能。因此，通过在透光区的一部分区域内设置金属有机框架聚合物，并调节透光区不同位置的有机框架聚合物中的金属离子及有机配体的种类，以精确控制不同区域的透过光单一波长和强度，提高掩模板的各透光区的曝光精度。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种掩模板及掩模板的制造方法。

背景技术

目前4次光刻技术(4Mask)已普遍应用于薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistorLiquidCrystal Display，TFT-LCD)的制备之中，其工艺过程为在制备好栅极层图案的基板上依次沉积栅绝缘层、有缘层、欧姆接触层和源漏极金属层后，利用一道半色调掩模板(Half tone Mask)，通过一次曝光显影，在光阻层形成两种不同的光阻膜厚，然后在刻蚀工艺中分两次干/湿刻蚀，形成不同图案。

但是，现有的用于形成光阻层的半色调掩掩模板的曝光精度较低，容易导致通过半色调掩掩模板在阵列基板上形成的光阻层出现较大的误差。

发明内容

本发明实施例提供一种掩模板及掩模板的制造方法，旨在提高掩模板的曝光精度。

为解决上述问题，第一方面，本发明提供一种掩模板，所述掩膜板包括透光区，至少部分所述透光区内设有透光层，所述透光层内设有金属有机框架聚合物。

在本发明的一些实施例中，所述透光区包括用于在阵列基板上形成光阻层的透光孔，所述透光层对应所述透光孔设置，所述透光层内金属有机框架聚合物的密度沿所述透光孔的中部至两端的方向逐渐增高。

在本发明的一些实施例中，所述透光区包括用于在阵列基板上形成光阻层的透光孔，所述透光层对应所述透光孔设置；所述透光层的厚度沿所述透光孔的中部至两端的方向逐渐增高。

在本发明的一些实施例中，所述透光层的厚度大于或等于0.01mm，且小于或等于0.2mm。

在本发明的一些实施例中，所述金属有机框架聚合物的总体积与所述透光层的体积的比值大于或等于10％，且小于或等于80％。

在本发明的一些实施例中，所述金属有机框架聚合物中的金属元素包括过渡金属、主族金属和稀土金属中的一种或多种。

在本发明的一些实施例中，所述透光层的材质包括玻璃、聚氨酯树脂或乙烯-聚醋酸乙烯酯共聚物。

在本发明的一些实施例中，所述掩膜板包括透明基板，及设于所述透明基板侧面的遮光层，所述透明基板的未被遮光层覆盖的区域形成所述透光区。

第二方面，本发明还提供一种掩模板的制造方法，所述方法包括：

提供透明基板；

在所述透明基板上设置遮光层，以在所述透明基板未被所述遮光层覆盖的区域形成透光区；

在至少部分所述透光区内设置透光层，所述透光层内设有金属有机框架聚合物。

在本发明的一些实施例中，所述透光区包括用于在阵列基板上形成光阻层的透光孔，所述透光层对应所述透光孔设置，所述掩模板的制造方法还包括：

将所述透光层背离所述透明基板一侧的部分材料去除，以使透光层的厚度由中部至两端逐渐增加。