[发明专利]一种高压MOSFET开关驱动及保护电路

权利要求书

1.一种高压MOSFET开关驱动及保护电路，其特征是，包括浮地电压源、内部低压源、电荷泵、逻辑控制、过流检测、过温检测以及MOSFET栅极驱动部分；输入高压电源通过稳压或降压电路获得浮地电源和内部低压源；浮地电源驱动电荷泵电路获得高于输入电源的MOSFET栅极驱动电压；采用栅极逻辑运算单元连接MOSFET栅极驱动，该栅极逻辑运算单元中输入端为内部低压源与外部TTL输入信号：内部低电压源用于比较外部TTL输入信号以及过流、过温的逻辑控制信号：当外部TTL输入信号为低电平时，栅极逻辑运算单元开启MOSFET，将输入高电压源加载至负载；当外部TTL输入信号为高电平时，栅极逻辑运算单元关断MOSFET，卸载负载电压源。

2.根据权利要求1所述的高压MOSFET开关驱动及保护电路，其特征是，所述栅极逻辑运算单元逻辑控制信号通过栅极驱动单元实现高压MOSFET的开断。

3.根据权利要求1或2所述的高压MOSFET开关驱动及保护电路，其特征是，过流检测及过温检测电路连接到栅极逻辑运算单元，当MOSFET工作过流或过温时，栅极逻辑运算单元关断MOSFET，保护驱动电路及负载；过流检测及过温检测通过电流采样及温度采样获得；所述温度过载检测的方式为：将负温度系数热敏电阻紧贴MOSFET，通过热敏电阻采样电压与参考电压进行比较，判断MOSFET是否温度超限。当过温时，栅极逻辑运算单元通过栅极驱动电路，保持关断MOSFET。

4.根据权利要求1或2所述的高压MOSFET开关驱动及保护电路，其特征是，所述的浮地电源为输入高压电源通过稳压二极管获得，浮地电源的高电位等于输入高压源高电位，低电位为稳压二极管的正极低电位。

5.根据权利要求4所述的高压MOSFET开关驱动及保护电路，其特征是，浮地电源压差由稳压二极管决定，为10-15V之间。

6.根据权利要求1或2所述的高压MOSFET开关驱动及保护电路，其特征是，所述内部低电压源为输入电源通过线性稳压获得，电压范围为5-12V之间。

7.根据权利要求1或2所述的高压MOSFET开关驱动及保护电路，其特征是，内部低电压源为逻辑控制电路以及温度过载电路供电。

8.根据权利要求1或2所述的高压MOSFET开关驱动及保护电路，其特征是，所述浮地电源通过Dickson电荷泵获得高于输入电源12V的MOSFET栅极驱动电压。所述电荷泵获得的栅极驱动高压源还通过线性稳压为过流检测电路的供电。

9.根据权利要求1或2所述的高压MOSFET开关驱动及保护电路，其特征是，所述过流检测的方式为：将电流采样电阻的压降与基准电压值比较，判断MOSFET是否电流过载；电流过载高压电平转换为低电压及通过逻辑控制后，关断MOSFET。

10.根据权利要求1或2所述的高压MOSFET开关驱动及保护电路，其特征是，电流过载电平的电压转换，通过光耦隔离的方式实现。