[发明专利]晶片的加工方法

权利要求书

1.一种晶片的加工方法，该晶片在外周具有倒角部，其中，

该晶片的加工方法具有如下的步骤：

环状改质区域形成步骤，在距离晶片的外周缘为规定距离的内侧的位置沿着该外周缘照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，形成至少从晶片的正面达到完工厚度的深度的环状改质区域；

外周部改质区域形成步骤，对晶片的外周部照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在晶片的该外周部呈放射状形成多个至少从晶片的正面达到完工厚度的深度的改质区域；以及

背面磨削步骤，在实施了该环状改质区域形成步骤和该外周部改质区域形成步骤之后，对晶片的背面进行磨削，将晶片薄化至该完工厚度，

在该背面磨削步骤中，一边以该环状改质区域和多个该改质区域为起点将晶片的该外周部从晶片去除一边进行磨削。

2.根据权利要求1所述的晶片的加工方法，其中，

该晶片的加工方法还具有如下的研磨步骤：在实施了所述背面磨削步骤之后，对所述背面进行研磨。