[发明专利]晶片的加工方法

说明书

提供晶片的加工方法，在对在外周具有倒角部的晶片进行加工的情况下，不增加将晶片外周部去除的工序而能够防止晶片的破损。该晶片的加工方法是在外周具有倒角部(Wd)的晶片(W)的加工方法，其中，该晶片的加工方法包含如下的步骤：在距离晶片外周缘为规定距离的内侧的位置沿着外周缘照射对于晶片(W)具有透过性的波长的激光束，形成从晶片正面(Wa)达到完工厚度(L1)的深度的环状改质区域(M)；对晶片外周部照射对于晶片(W)具有透过性的波长的激光束，在晶片外周部呈放射状形成多个从晶片正面(Wa)达到完工厚度(L1)的深度的改质区域(N)；对晶片背面(Wb)进行磨削，使晶片薄化至完工厚度(L1)。

技术领域

本发明涉及晶片的加工方法，该晶片在外周具有倒角部。

背景技术

在对晶片的背面进行磨削而使其薄化时，在晶片的外周的倒角部形成所谓的锐边，有可能在锐边产生缺损而损伤晶片。为了防止该情况，广泛采用如下的所谓边缘修剪：在磨削前，利用切削刀具将倒角部去除(例如参照专利文献1)。

但是，与通常的切割中所使用的例如宽度为20μm左右的切削刀具相比，在边缘修剪中，使用宽度为1mm左右的较厚的刀具，并且不是呈直线状而是呈环状对晶片进行切削，因此切削负荷比通常的切割大，容易在形成于晶片的外周缘的切削槽的缘部产生被称为崩边的缺损或裂纹。并且，当裂纹到达器件时，会损伤器件，因此成为问题。另一方面，当为了抑制崩边或裂纹而以低速进行边缘修剪时，生产率变差。

因此，提出了如下的方法：对晶片照射激光束而将晶片分割成内周部和外周部，将外周部去除然后对晶片进行磨削(例如参照专利文献2)。

专利文献1：日本特开2000-173961号公报

专利文献2：日本特开2006-108532号公报

但是，在上述方法中，由于增加了将晶片的外周部去除的工序，存在生产率降低的问题。

发明内容

由此，本发明的目的在于提供晶片的加工方法，当对在外周具有倒角部的晶片进行加工时，不增加将晶片的外周部去除的工序而能够防止晶片的破损。

根据本发明，提供晶片的加工方法，该晶片在外周具有倒角部，其中，该晶片的加工方法具有如下的步骤：环状改质区域形成步骤，在距离晶片的外周缘为规定距离的内侧的位置沿着该外周缘照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，形成至少从晶片的正面达到完工厚度的深度的环状改质区域；外周部改质区域形成步骤，对晶片的外周部照射对于晶片具有透过性的波长的激光束，在晶片的该外周部呈放射状形成多个至少从晶片的正面达到完工厚度的深度的改质区域；以及背面磨削步骤，在实施了该环状改质区域形成步骤和该外周部改质区域形成步骤之后，对晶片的背面进行磨削，将晶片薄化至该完工厚度，在该背面磨削步骤中，一边以该环状改质区域和多个该改质区域为起点将晶片的该外周部从晶片去除一边进行磨削。

优选本发明的晶片的加工方法还具有如下的研磨步骤：在实施了所述背面磨削步骤之后，对所述背面进行研磨。

根据本发明的晶片的加工方法，在磨削中，晶片的外周部通过环状改质区域而呈环状从晶片的内周部断开，因此能够防止由于在晶片的边缘产生的缺损或裂纹使晶片的形成有器件的内周部破损。另外，被断开的外周部通过呈放射状延伸的多个外周部改质区域较细地分割，因此能够在磨削中去除。

由于还具有在实施了背面磨削步骤之后对背面进行研磨的研磨步骤，从而能够提高晶片的抗弯强度。

附图说明

图1是示出晶片的一例的剖视图。

图2是示出环状改质区域形成步骤的剖视图。

图3是将形成于晶片的环状的改质区域放大而示出的剖视图。

图4是示出外周部改质区域形成步骤的剖视图。