[发明专利]一种GIS内部触头接触不良的模拟装置及红外校准方法

权利要求书

1.一种GIS内部触头接触不良的模拟装置，其特征在于，包括壳体以及设置于壳体内的静导体、动导体、非标梅花触头、绝缘子和触头绝缘支架，所述静导体一端、非标梅花触头、动导体一端依次连接，构成导电回路，且所述静导体与非标梅花触头固定连接，动导体与非标梅花触头可拆卸连接，

所述静导体另一端通过一绝缘子与壳体连接，所述动导体另一端通过另一绝缘子与壳体连接，

所述触头绝缘支架套在非标梅花触头上并与壳体连接；

设计所述非标梅花触头时，固定其线径、有效圈数、弹簧密封圈的自由长度为定量，以及选定材料为铍钴铜，仅通过改变其弹簧中径来改变性能；

该模拟装置用于模拟经过长时间运行后粗糙的触头表面时，所述非标梅花触头的弹簧中径d₂由以下公式获得：

其中，d_arm为触臂的直径，d₂₀为国标梅花触头的弹簧中径，D₀为触头弹簧自由状态下的轴线闭合圆直径，R_ao为国标梅花触头的粗糙度，R_a+为模拟现场的触头粗糙度；

该模拟装置用于模拟经过长时间运行后由于被烧蚀而导致弧触头长度降低的状态时，所述非标梅花触头的弹簧中径d₂由以下公式获得：

其中，d_arm为触臂的直径，d₂₀为国标梅花触头的弹簧中径，D₀为触头弹簧自由状态下的轴线闭合圆直径，s₀为国标梅花触头的弧触头行程长度，s₊为被模拟现场的弧触头行程长度。

2.根据权利要求1所述的GIS内部触头接触不良的模拟装置，其特征在于，所述非标梅花触头的材料为铍钴铜。

3.根据权利要求1所述的GIS内部触头接触不良的模拟装置，其特征在于，所述绝缘子向内凹卡在壳体边缘，所述静导体和动导体分别穿过两端绝缘子的中心。

4.根据权利要求1所述的GIS内部触头接触不良的模拟装置，其特征在于，所述静导体上设置有用于固定所述触头绝缘支架的突起。

5.根据权利要求1或3所述的GIS内部触头接触不良的模拟装置，其特征在于，所述绝缘子为玻璃盆式绝缘子。

6.根据权利要求1所述的GIS内部触头接触不良的模拟装置，其特征在于，所述静导体和动导体均为空心铜杆。

7.根据权利要求1所述的GIS内部触头接触不良的模拟装置，其特征在于，所述触头绝缘支架为高温硫化硅橡胶。

8.一种采用如权利要求1-7任一所述的GIS内部触头接触不良的模拟装置进行红外测温校准的方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在所述模拟装置上粘贴多个热电偶；

2)对所述模拟装置通电，获得在不同热电偶测得的外壳温度下在0°观测角度上红外仪测量温度与距离的关系，从而获得测温和距离的拟合方程以及红外测温的最佳距离；

3)获得在所述最佳距离的圆弧上红外仪测温和观测角度的关系，从而获得测温和角度的拟合方程；

4)将红外仪固定在最佳距离、0°观测角度的位置，记录模拟装置通电升温全过程内红外仪测温和相应点热电偶测温的数据，并获得相应拟合方程；

5)在红外仪使用时，对于红外仪拍摄到的红外图像，读取其温度数据，并根据空间几何关系及步骤2)-4)中的拟合方程，对温度数据进行校正。