[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括衬底和形成在所述衬底上的位线，所述位线沿着第一方向延伸；其中，

所述衬底中形成有多个有源区，以及所述衬底中还形成有位线接触窗，至少部分所述有源区暴露于所述位线接触窗，并且所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上的开口尺寸大于所述位线接触窗在位线的延伸方向上的开口尺寸；

以及，所述存储器还包括位线接触部，所述位线接触部形成在所述位线接触窗中并与所述有源区电性连接，以及所述位线覆盖所述位线接触部的顶表面，并且所述位线接触部在垂直于位线的延伸方向上的宽度尺寸小于所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上的开口尺寸，以使所述位线接触部的外侧壁和所述位线接触窗的沟槽侧壁相互间隔。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上的开口尺寸大于等于2倍的最小特征尺寸，以及所述位线接触窗在位线的延伸方向上的开口尺寸小于2倍的最小特征尺寸，其中所述位线接触窗的形状为椭圆状，并且所述位线接触窗的所述椭圆状的长轴方向垂直于位线的延伸方向。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述衬底中形成有字线沟槽，所述字线沟槽中填充有字线，并且所述字线的顶部位置低于所述字线沟槽的顶部位置，以及在所述字线沟槽高于字线的空间中还填充有间隔绝缘层，所述位线接触窗在位线的延伸方向上横向延伸至字线上方的所述间隔绝缘层中。

4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述位线接触窗横向延伸至所述间隔绝缘层中的部分的宽度尺寸小于0.6倍的最小特征尺寸。

5.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述间隔绝缘层具有一隙缝，所述位线接触窗横向延伸至所述间隔绝缘层的缝隙，以和所述缝隙直接接触。

6.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构形成在所述衬底中并围绕在所述有源区的外围；以及，所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上还横向延伸至所述沟槽隔离结构中，所述位线接触窗横向延伸在所述沟槽隔离结构中的部分的宽度尺寸大于等于0.5倍的最小特征尺寸。

7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述衬底中形成有字线沟槽，所述字线沟槽中依次填充有字线和间隔绝缘层，以及所述字线沟槽位于所述位线接触窗的侧边，所述位线接触窗在位线的延伸方向上还横向延伸至所述间隔绝缘层中。

8.如权利要求7所述的存储器，其特征在于，所述位线接触窗对应在所述沟槽隔离结构中的第一沟槽侧壁的平均斜率大于所述位线接触窗对应在所述间隔绝缘层中的第二沟槽侧壁的平均斜率。

9.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供一衬底，所述衬底中形成有多个有源区；

形成多个位线接触窗在所述衬底中，所述位线接触窗暴露出至少部分所述有源区，并且所述位线接触窗在第二方向上的开口尺寸大于所述位线接触窗在第一方向上的开口尺寸；

形成导电材料层在所述衬底上，所述导电材料层至少填充所述位线接触窗，所述导电材料层填充所述位线接触窗中的部分构成填充部；

形成位线在所述导电材料层上，所述位线沿着第一方向延伸并覆盖所述导电材料层的所述填充部，并且所述位线在第二方向上的宽度尺寸小于所述填充部在第二方向上的宽度尺寸，以使所述填充部沿着第二方向延伸的端部暴露出；以及，

以所述位线为掩膜刻蚀所述导电材料层，以去除所述填充部沿着第二方向延伸的端部，并利用剩余的填充部构成位线接触部。

10.如权利要求9所述的存储器的形成方法，其特征在于，形成所述位线接触窗之前，还包括：形成沟槽隔离结构在所述衬底中。