[发明专利]存储器及其形成方法

说明书

本发明提供了一种存储器及其形成方法。通过使存储器中的位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上具有较大的开口尺寸，从而在制备位线接触部时，将有利于提高位线接触窗其端部位置中的导电材料的去除效果，以避免在位线接触窗中出现导电材料残留的问题，提高存储器的器件性能。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器及其形成方法。

背景技术

存储器，例如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，其通常包括存储电容器以及电性连接所述存储电容器的存储晶体管。

基于现有的存储器而言，目前仍存在制作难度大、制备工艺较为繁琐的问题。举例而言，在制备嵌入至衬底中的位线接触部时，通常是先形成位线接触窗在衬底中，接着填充导电材料在所述位线接触窗中，最后利用刻蚀工艺去除位线接触窗中的部分导电材料，以形成位线接触部。然而，在刻蚀去除位线接触窗中的导电材料时，常常会存在刻蚀不净的问题，进而容易引起器件漏电流的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种存储器，以解决现有的存储器存在导电材料残留，而容易引发器件漏电流的问题。

为解决上述技术问题，本发明提供一种存储器，包括衬底和形成在所述衬底上的位线，所述位线沿着第一方向延伸。

其中，所述衬底中形成有多个有源区，以及所述衬底中还形成有位线接触窗，至少部分所述有源区暴露于所述位线接触窗，并且所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上的开口尺寸大于所述位线接触窗在位线的延伸方向上的开口尺寸。

以及，所述存储器还包括位线接触部，所述位线接触部形成在所述位线接触窗中并与所述有源区电性连接，以及所述位线覆盖所述位线接触部的顶表面，并且所述位线接触部在垂直于位线的延伸方向上的宽度尺寸小于所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上的开口尺寸，以使所述位线接触部的外侧壁和所述位线接触窗的沟槽侧壁相互间隔。

可选的，所述位线接触部在垂直于位线的延伸方向上的宽度尺寸小于所述位线接触部在位线的延伸方向上的宽度尺寸。

可选的，所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上的开口尺寸大于等于2倍的最小特征尺寸，以及所述位线接触窗在位线的延伸方向上的开口尺寸小于2倍的最小特征尺寸。

可选的，所述位线接触窗的形状为椭圆状，并且所述位线接触窗的所述椭圆状的长轴方向垂直于位线的延伸方向。

可选的，所述位线和所述位线接触部在垂直于位线的延伸方向上的宽度尺寸均大于等于一个最小特征尺寸。

可选的，所述存储器还包括字线，所述字线掩埋在所述衬底中并沿着第二方向延伸，以和相应的有源区相交，并且所述有源区中与所述字线相交的部分位于所述有源区中暴露于所述位线接触窗的部分的侧边。

可选的，所述位线接触窗在位线的延伸方向上还横向延伸至所述字线的上方。

可选的，所述衬底中形成有字线沟槽，所述字线填充在所述字线沟槽中，并且所述字线的顶部位置低于所述字线沟槽的顶部位置，以及在所述字线沟槽高于字线的空间中还填充有间隔绝缘层，所述位线接触窗在位线的延伸方向上横向延伸至字线上方的所述间隔绝缘层中。

可选的，所述位线接触窗横向延伸至所述间隔绝缘层中的部分的宽度尺寸小于0.6倍的最小特征尺寸。

可选的，所述间隔绝缘层具有一隙缝，所述位线接触窗横向延伸至所述间隔绝缘层的缝隙，以和所述缝隙直接接触。

可选的，所述存储器还包括沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构形成在所述衬底中并围绕在所述有源区的外围；以及，所述位线接触窗在垂直于位线的延伸方向上还横向延伸至所述沟槽隔离结构中。