[发明专利]离子注入方法和设备

权利要求书

1.一种离子注入方法，其特征在于，包括：

将衬底放置在卡盘上；

分析所述衬底以确定其旋转位移，所述旋转位移定义所述衬底在所述卡盘上的放置位置；

将离子注入到所述衬底中；以及

当所述旋转位移为零时，代表所述衬底被完美地放置在所述卡盘上，将所述衬底旋转X次以完成完整旋转行程，并且每次以N度角旋转衬底；

当所述旋转位移大于零时，代表所述衬底相对于离子源没有被精确对准地放置在所述卡盘上，将衬底旋转Y次以完成所述完整旋转行程，并每次以M度角旋转衬底，X和Y为自然数且Y大于X。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，所述衬底具有第一晶体管和相对于所述第一晶体管正交布置的第二晶体管。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，将所述衬底旋转X次是将所述衬底旋转四次，且每次将所述衬底旋转成N度角是每次将所述衬底旋转90度。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中，将所述衬底旋转Y次是将所述衬底旋转八次，且将所述衬底以M度角旋转是每次将所述衬底旋转45度。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中所述离子用于延伸注入。

6. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，其中，所述离子包括氟化硼（BF2）和砷离子（As +）中的至少一种。

7. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，其中用于所述离子的剂量浓度为1E13/cm^2到5E14/ cm^2的范围内。

8.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，其中，用于注入离子的功率在2KeV至10KeV的范围内。

9.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，其中所述离子的倾斜角在0°至10°的范围内。

10.一种用于在具有第一晶体管和与所述第一晶体管正交布置的第二晶体管的衬底上注入离子的设备，其特征在于，包括：

离子源；

面对所述离子源设置的卡盘，所述卡盘具有用于设置衬底的板以及与该板的中心部分连接的轴；

面对所述衬底设置并用以输出衬底的旋转位移的分析仪，所述旋转位移定义所述衬底在所述卡盘上的放置位置；和

机械地耦合到所述卡盘的轴以使所述衬底旋转的步进电机，其中，

当旋转位移为零时，代表所述衬底被完美地放置在所述卡盘上，所述步进电机完成完整旋转行程的步骤为X；

而当旋转位移大于零时，代表所述衬底相对于离子源没有被精确对准地放置在所述卡盘上，所述步进电机完成完整旋转行程的步骤为Y，X和Y为自然数且Y大于X。