[发明专利]离子注入方法和设备

说明书

本发明提供一种离子注入方法和设备。所述方法包括：将衬底放置在卡盘上；分析所衬底板以确定衬底的旋转位移；将离子注入到所述衬底中；以及当所述旋转位移基本为零时，将所述衬底旋转X次，并且每次以N度角旋转衬底；当旋转位移大于零时，将衬底旋转Y次并每次以M度角旋转衬底。

技术领域

本发明公开的总体上涉及离子注入方法和设备，更具体地，涉及用于旋转衬底以消除替代工艺的离子注入方法和设备。

本申请要求于2018年12月14日提交的美国临时专利申请号62779520的优先权，其通过引用合并于此，并成为说明书的一部分。

背景技术

为了提供彼此独立的类比场效应晶体管（FET）和数位FET替换分布区，通常应要在选择性地先后覆盖（通常用光致对准剂）单个装置（例如，类比FET）然后进行第二组装置（例如数字FET）的离子注入（源极/汲极边缘的局部替换），然后去除覆盖掺杂剂，再选择性地覆盖第二组设备（例如数字FET）替代第一组设备进行执行离子注入。这是一个昂贵且耗时的过程。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种离子注入方法和设备，以解决上述技术问题。

一种离子注入方法，其特征在于，包括：将衬底放置在卡盘上；分析所衬底板以确定衬底的旋转位移；将离子注入到所述衬底中；以及当所述旋转位移基本为零时，将所述衬底旋转X次，并且每次以N度角旋转衬底；当旋转位移大于零时，将衬底旋转Y次并每次以M度角旋转衬底。

一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底的顶面上形成多个沟槽；在所述衬底上进行表面处理工艺，所述表面处理工艺包括：在所述衬底的沟槽的暴露表面上形成非晶衬层；减少所述非晶衬层的厚度；和将所述非晶衬里层至少部分地转变成电介质衬垫层；以及在所述电介质衬垫层上设置导电材料以填充所述沟槽。一种用于在具有第一晶体管和从所述第一晶体管正交布置的第二晶体管的衬底上注入离子的设备，其特征在于，包括：离子源；面对所述离子源设置的卡盘，所述卡盘具有用于设置衬底的板以及与该板的中心部分连接的轴；面对所述衬底设置并用以输出衬底的旋转位移的分析仪；和机械地耦合到所述卡盘的轴以使所述衬底旋转的步进电机，其中，当旋转位移基本为零时，所述步进马达完成完整旋转行程的步骤为X；而当旋转位移大于零时，所述步进马达完成完整旋转行程的步骤为Y。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1所示的根据本公开的一些实施例的离子注入设备；

图2示出了根据本公开的一些实施例的注入方法的流程图；

图3示出了根据本公开的一些实施例的衬底的俯视图；

图4示出了根据本公开的一些实施例的衬底的截面图。

然而，要注意的是，随附图式仅说明本案之示范性实施态样并因此不被视为限制本案的范围，因为本案可承认其他等效实施态样。

主要元件符号说明

衬底 100

第一晶体管 101

第二晶体管 102

离子源 200

卡盘板 301

卡盘轴 302

分析器 400

步进电动机 500