[发明专利]半导体结构的蚀刻停止层有效
| 申请号： | 201911116829.7 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111341659B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李相遇;崔基雄;金成基 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 蚀刻 停止 | ||
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
基层；和
具有多个元素并与所述基层物理接触的蚀刻停止层；
其中所述多个元素包括硅元素，硼元素和氮元素，所述硼元素的浓度沿着所述蚀刻停止层的厚度方向呈梯度分布。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中，最靠近所述基层的区域中硼元素的浓度为零，并且随着所述蚀刻停止层延伸远离所述基层的方向而增加。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中，距所述基层最远的区域中硼元素的浓度为零，并且随着所述蚀刻停止层延伸到所述基层的方向而增加。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中，所述硅元素和所述氮元素形成氮化硅，且所述氮化硅和所述硼元素之间的比率为1：9至9：1。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，其中所述蚀刻停止层包括SiBN化合物层和设置在所述SiBN化合物层上方的顶部SiN化合物层。
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，其中，所述顶部SiN化合物层是所述蚀刻停止层的总厚度的10％至50％。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，其中，所述蚀刻停止层还包括设置在所述SiBN化合物层下方的底部SiN化合物层。
8.根据权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，其中，所述底部SiN化合物层的厚度为20Å。
9.一种形成半导体结构的方法，其特征在于，包括：
在处理室中提供基层；和
直接在基层上形成蚀刻停止层，该蚀刻停止层具有多个元素；
其中所述多个元素包括硅元素，氮元素和硼元素；
其中所述硼元素的浓度沿着所述蚀刻停止层的厚度方向呈梯度分布。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏泰鑫半导体（青岛）有限公司，未经夏泰鑫半导体（青岛）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911116829.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电容器组件
- 下一篇：包括一单晶圆、缩小体积的处理室的系统
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
