[发明专利]半导体结构的蚀刻停止层有效
| 申请号： | 201911116829.7 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN111341659B | 公开（公告）日： | 2023-03-24 |
| 发明（设计）人： | 李相遇;崔基雄;金成基 | 申请（专利权）人： | 夏泰鑫半导体（青岛）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 彭辉剑;龚慧惠 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市黄岛区*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 蚀刻 停止 | ||
本发明提供一种形成半导体结构的蚀刻停止层与其形成方法。所述方法包括：在处理室中提供基础层；和直接在基础层上形成蚀刻停止层，该蚀刻停止层具有多个元素；其中所述多个元素包括硅(Si)元素，氮(N)元素和硼(B)元素；其中所述多个元素中的至少一者的浓度沿着所述蚀刻停止层的厚度方向呈梯度分布。
技术领域
本发明公开案总体上涉及半导体结构，并且更具体地，涉及具有蚀刻停止层的半导体结构，其结构得以改善蚀刻停止层的蚀刻轮廓。
本申请要求于2018年12月19日提交的美国临时专利申请号62781626的优先权，其通过引用合并于此，并且成为说明书的一部分。
背景技术
在半导体工业中，最小临界尺寸已迅速减小。因此，用于防止在半导体器件制造期间层与层之间图案桥接的重叠余量也对应地减小。因此，需要开发用于提供更大工艺裕量的解决方案。在蚀刻工艺中，蚀刻停止层对于确定工艺裕度至关重要。
发明内容
有鉴于此，有必要提供一种半导体结构的蚀刻停止层与其形成方法，以解决上述技术问题。
一种半导体结构，包括：基层；和具有多个元素并与所述基层物理接触的蚀刻停止层；其中所述多个元素包括硅(Si)元素，硼(B)元素和氮(N)元素。
一种形成半导体结构的方法，包括：在处理室中提供基层；和直接在基层上形成蚀刻停止层，该蚀刻停止层具有多个元素；其中所述多个元素包括硅(Si)元素，氮(N)元素和硼(B)元素；其中所述多个元素中的至少一者的浓度沿着所述蚀刻停止层的厚度方向呈梯度分布。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1示出了根据本公开的一些实施例的形成半导体结构的方法的流程图；
图2A至图2C示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的截面示意图；
图3A-3E示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的不同类型的蚀刻停止层的截面示意图；
图4示出了根据本公开的一些实施例的半导体结构的截面示意图。
然而，要注意的是，随附图式仅说明本案之示范性实施态样并因此不被视为限制本案的范围，因为本案可承认其他等效实施态样。
主要元件符号说明
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于夏泰鑫半导体（青岛）有限公司，未经夏泰鑫半导体（青岛）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
