[发明专利]有源矩阵基板以及具备其的X射线拍摄面板有效
申请号: | 201911116965.6 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN111211178B | 公开(公告)日: | 2023-02-28 |
发明(设计)人: | 美崎克纪 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/115;H01L31/18;H01L27/146 |
代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人: | 郝家欢 |
地址: | 日本国大*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有源 矩阵 以及 具备 射线 拍摄 面板 | ||
1.一种有源矩阵基板,其特征在于,具备:
基板;
第一电极,其配置于所述基板上;
光电转换元件,其配置于所述第一电极上;
第二电极,其配置于所述光电转换元件上;
第一无机绝缘膜,其在所述第二电极上具有第一开口,并覆盖所述第一电极、所述第二电极、以及所述光电转换元件的各自的表面;
第一有机绝缘膜,其设置于所述第一无机绝缘膜上,并在俯视观察时与所述第一开口重叠的位置具有第二开口;
第二无机绝缘膜,其覆盖所述第二开口的内侧的所述第一有机绝缘膜的表面,并在俯视观察时与所述第一开口重叠的位置具有第三开口;以及
导电膜,其以经由所述第一开口与所述第二电极接触的方式设置于所述第二无机绝缘膜上。
2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,其特征在于,还具备:
第三无机绝缘膜,其覆盖所述导电膜;以及
第二有机绝缘膜,其覆盖所述第三无机绝缘膜。
3.根据权利要求2所述的有源矩阵基板,其特征在于,
所述第二无机绝缘膜与所述第三无机绝缘膜中的至少一方在所述光电转换元件中,覆盖俯视观察时未与所述第二开口重叠的区域的一部分。
4.根据权利要求1所述的有源矩阵基板,其特征在于,
还在所述基板上具备开关元件,
所述第一电极与所述开关元件的漏电极连接,
所述第二电极经由所述导电膜施加偏压。
5.一种拍摄面板,其特征在于,具备:
权利要求1至4中任一项所述的有源矩阵基板;以及
闪烁体,其将被照射的X射线转换为荧光。
6.一种有源矩阵基板的制造方法,其特征在于,包含:
在基板上形成第一电极的工序;
在所述第一电极上形成光电转换元件的工序;
在所述光电转换元件上形成第二电极的工序;
形成第一无机绝缘膜的工序,所述第一无机绝缘膜在所述第二电极上具有第一开口,并覆盖所述第一电极、所述第二电极、以及所述光电转换元件的各自的表面;
形成第一有机绝缘膜的工序,所述第一有机绝缘膜在所述第一无机绝缘膜上,在俯视观察时与所述第一开口重叠的位置具有第二开口;
形成第二无机绝缘膜的工序,所述第二无机绝缘膜覆盖所述第二开口中的所述第一有机绝缘膜的表面,并在俯视观察时与所述第一开口重叠的位置具有第三开口;以及
在所述第二无机绝缘膜上形成导电膜的工序,所述导电膜经由所述第一开口与所述第二电极接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的