[发明专利]有源矩阵基板以及具备其的X射线拍摄面板有效

专利信息
申请号: 201911116965.6 申请日: 2019-11-15
公开(公告)号: CN111211178B 公开(公告)日: 2023-02-28
发明(设计)人: 美崎克纪 申请(专利权)人: 夏普株式会社
主分类号: H01L31/0216 分类号: H01L31/0216;H01L31/115;H01L31/18;H01L27/146
代理公司: 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 代理人: 郝家欢
地址: 日本国大*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 有源 矩阵 以及 具备 射线 拍摄 面板
【说明书】:

有源矩阵基板(1)在基板(101)上具备第一电极(14a)、光电转换元件(15)、以及第二电极(14b)。第一电极(14a)、光电转换元件(15)、以及第二电极(14b)被在第二电极上具有第一开口(105a)的第一无机绝缘膜(105)覆盖。在第一无机绝缘膜(105)上设置有具有第二开口(106a)的第一有机绝缘膜(106),第二开口(106a)的内侧的第一有机绝缘膜(106a)的表面被具有俯视观察时与第一开口(105a)重叠的第三开口(117a)的第二无机绝缘膜(117)覆盖。在第二无机绝缘膜(117)上设置有在第一开口(105a)中与第二电极(14b)接触的导电膜(17)。

技术领域

以下公开的发明涉及一种有源矩阵基板以及具备其的X射线拍摄面板、以及有源矩阵基板的制造方法。

背景技术

在日本特开2007-165865号公报中公开了作为光电转换元件而具备PIN光电二极管的光电转换装置。在该光电转换装置中,PIN光电二极管的表面被感光性树脂膜覆盖。

感光性树脂膜易于吸收水分,因此在水分进入所述光电转换装置中的感光性树脂膜的情况下,感光性树脂膜成为泄漏路径,光电转换元件的漏电流易于在PIN光电二极管中的两个电极间流通。其结果为,产生漏电流的部分的传感器灵敏度下降,检测精度产生偏差。

发明内容

鉴于所述课题而完成的有源矩阵基板,具备:基板;第一电极,其配置于所述基板上;光电转换元件,其配置于所述第一电极上;第二电极,其配置于所述光电转换元件上;第一无机绝缘膜,其在所述第二电极上具有第一开口,并覆盖所述第一电极、所述第二电极、以及所述光电转换元件的各自的表面;第一有机绝缘膜,其设置于所述第一无机绝缘膜上,并在俯视观察时与所述第一开口重叠的位置具有第二开口;第二无机绝缘膜,其覆盖所述第二开口的内侧的所述第一有机绝缘膜的表面,并在俯视观察时与所述第一开口重叠的位置具有第三开口;以及导电膜,其以经由所述第一开口与所述第二电极接触的方式设置于所述第二无机绝缘膜上。

根据所述构成,光电转换元件的漏电流不易流通,可减轻检测精度的偏差。

附图说明

图1为表示第一实施方式中的X射线拍摄装置的示意图。

图2为表示图1所示的有源矩阵基板的概要构成的示意图。

图3为将图2所示的有源矩阵基板的像素的一部分放大后的俯视图。

图4为图3的像素中的A-A线的剖视图。

图5A为对图4所示的有源矩阵基板的像素的制造工序进行说明的剖视图,且为表示图4所示的形成有栅极绝缘膜、TFT、作为第一绝缘膜的无机绝缘膜的状态的剖视图。

图5B为表示对图5A所示的无机绝缘膜进行图案化而形成第一绝缘膜的开口的工序的剖视图。

图5C为表示对图4所示的第二绝缘膜进行成膜的工序的剖视图。

图5D为表示形成图5C所示的第二绝缘膜的开口的工序的剖视图。

图5E为表示对图4所示的作为下部电极(阴极电极)的金属膜进行成膜的工序的剖视图。

图5F为表示对图5E所示的金属膜进行图案化而形成下部电极的工序的剖视图。

图5G为表示形成图4所示的作为光电转换层的半导体层、作为上部电极(阳极电极)的透明导电膜的工序的剖视图。

图5H为表示对图5G所示的透明导电膜进行图案化而形成上部电极的工序的剖视图。

图5I为表示对图5G所示的半导体层进行图案化而形成光电转换层的工序的剖视图。

图5J为表示对图4所示的第三绝缘膜进行成膜的工序的剖视图。

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