[发明专利]芯片转移方法及装置

说明书

本申请一种芯片转移方法及装置。提供一包括第一透明基板层以及掺杂有热发泡剂的第一光敏胶层的第一转移基板。将第一转移基板设置有第一光敏胶层的一面靠近设置有芯片阵列的衬底与芯片阵列贴合。通过预设波长的光线对第一光敏胶层进行照射，使得第一光敏胶层从芯片阵列粘取待转移芯片。将待转移芯片转移至目标转移位置，通过预设精度的热源对第一光敏胶层的预设位置进行照射，使得所述预设位置的热发泡剂的体积发生膨胀的同时，所述预设位置的粘性减小，所述预设位置的待转移芯片易于从所述第一光敏胶层脱落。如此，提高了对芯片进行选择性转移过程的精度，同时减少了转移材料的残留。

技术领域

本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种芯片转移方法及装置。

背景技术

随着半导体制作工艺的发展，能够在同一晶圆上制作出大量的芯片。制作出的芯片还需要转移到电路基板，与其他芯片一起做进一步地封装。然而，在芯片转移过程中，会因为实际需求只需要转移一部分芯片。例如，在转移LED芯片时，根据实际的图案排列需求，只需要将制作出的LED芯片中的一部分进行转移，使得LED芯片发光时按照该图案排列显示相应的图案。

现有技术中，主要通过预设波长的光线对转移基板进行选择性的照射，使得转移基板中的光敏胶层被照射区域的粘性发生变化，实现对芯片的选择性转移。然而，当对微米级的芯片进行选择性转移时，由于光线在传播过程中，会存在侧向曝光的风险，继而会影响选择性转移的精度。同时，其他的一些通过热敏材料转移方式中，因为该转移基板中转移材料的原因，使得转移后的芯片表面存在过多的转移材料残留。

发明内容

本申请实施例提供一种芯片转移方法及装置，旨在提高对芯片选择性转移过程中的转移精度以及减少转移材料的残留。

为了克服现有技术中的至少一个不足，本申请的目的之一在于提供一种芯片转移方法，所述芯片转移方法包括：

提供一第一转移基板，所述第一转移基板包括第一透明基板层以及第一光敏胶层，所述第一光敏胶层中掺杂有热发泡剂；

将所述第一转移基板设置有第一光敏胶层的一面靠近设置有芯片阵列的衬底，使得所述第一光敏胶层与所述芯片阵列贴合；

通过预设波长的光线对所述第一光敏胶层进行照射，使得所述第一光敏胶层从所述芯片阵列粘取待转移芯片；

将所述待转移芯片转移至目标转移位置，通过预设精度的热源对所述第一光敏胶层的预设位置进行照射，使得所述预设位置的热发泡剂的体积发生膨胀，同时所述预设位置的粘性减小，所述预设位置的待转移芯片易于从所述第一光敏胶层脱落。

可选地，所述通过预设波长的光线对所述第一光敏胶层进行照射，使得所述第一光敏胶层从所述芯片阵列粘取待转移芯片的步骤包括：

通过所述预设波长的光线对所述第一光敏胶层的所述预设位置进行照射，使得所述第一光敏胶层粘取所述预设位置的待转移芯片。

可选地，所述通过预设波长的光线对所述第一光敏胶层进行照射，使得所述第一光敏胶层从所述芯片阵列粘取待转移芯片的步骤包括：

通过所述预设波长的光线对所述第一光敏胶层的预设区域处进行照射，使得所述第一光敏胶层粘取所述预设区域处的待转移芯片。

可选地，述第一光敏胶层在所述预设波长的光线的照射下，所述第一光敏胶层发生凝结。

可选地，所述方法还包括:

在所述目标转移位置提供一第二转移基板，所述第二转移基板包括第二透明基板层以及第二光敏胶层；

所述第二转移基板位于所述第一转移基板的下方，所述第二光敏胶层朝向所述第一光敏胶层与所述预设位置的待转移芯片贴合；

在所述预设精度的热源以及所述第一光敏胶层粘性的作用下，使得所述预设位置的待转移芯片脱落至所述第二光敏胶层。