[发明专利]掩模框架组件在审
申请号: | 201911118454.8 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN111455313A | 公开(公告)日: | 2020-07-28 |
发明(设计)人: | 安鼎铉;文在晳;李丞赈 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/24 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;尹淑梅 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 框架 组件 | ||
1.一种掩模框架组件,所述掩模框架组件包括:
框架;掩模,结合到所述框架,并且包括用于在基底上的沉积的图案区域;以及长边杆,结合到所述框架,并且将所述掩模的所述图案区域划分为单位单元图案;
其中,所述长边杆包括包覆结构,在所述包覆结构中堆叠有相对铁磁性层和相对弱磁性层。
2.根据权利要求1所述的掩模框架组件,其中,在堆叠方向上,所述相对铁磁性层的厚度大于所述相对弱磁性层的厚度。
3.根据权利要求1所述的掩模框架组件,其中,在宽度方向上突出的突起位于所述相对弱磁性层处。
4.根据权利要求3所述的掩模框架组件,其中,所述突起对应于在所述单位单元图案的一侧处的非发射图案。
5.根据权利要求3所述的掩模框架组件,其中,所述突起包括半圆形形状。
6.根据权利要求3所述的掩模框架组件,其中,多个所述突起沿长度方向周期性布置在所述相对弱磁性层的在所述宽度方向上的端部处。
7.根据权利要求1所述的掩模框架组件,其中,所述包覆结构包括其中所述相对弱磁性层位于一对所述相对铁磁性层之间的结构。
8.根据权利要求1所述的掩模框架组件,其中,所述相对铁磁性层是铁镍合金层,所述相对弱磁性层是不锈钢层。
9.根据权利要求1所述的掩模框架组件,其中,当磁力从与所述长边杆相对的位置施加到所述长边杆时,所述长边杆使得所述掩模和所述基底紧密接触,所述掩模和所述基底位于所述位置与所述长边杆之间。
10.根据权利要求9所述的掩模框架组件,其中,通过所述长边杆施加到所述掩模的接触力是所述相对铁磁性层的相对强的吸引力和所述相对弱磁性层的相对弱的吸引力的组合。
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