[发明专利]半导体结构平坦化方法有效
| 申请号： | 201911118490.4 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN112820641B | 公开（公告）日： | 2022-03-22 |
| 发明（设计）人： | 章杏;吴双双 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/308 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 平坦 方法 | ||
1.一种半导体结构平坦化方法，其特征在于，包括：
提供半导体结构，所述半导体结构包括介质层，所述介质层的上表面具有凸起结构；
采用沉积工艺于所述凸起结构的侧壁、上表面及所述介质层的上表面形成阻挡材料，并去除位于所述凸起结构的上表面的所述阻挡材料以形成阻挡层；
去除部分所述凸起结构，所述阻挡层在去除部分所述凸起结构时不坍塌；
在抛光液中化学剂的软化作用和磨料、抛光垫的机械作用的交替作用下去除残余的所述凸起结构，以对所述介质层进行平坦化处理。
2.根据权利要求1所述的半导体结构平坦化方法，其特征在于，所述阻挡材料的沉积厚度为40nm~80nm。
3.根据权利要求1所述的半导体结构平坦化方法，其特征在于，采用化学机械抛光工艺去除所述凸起结构上表面的所述阻挡材料。
4.根据权利要求1所述的半导体结构平坦化方法，其特征在于，去除的所述凸起结构的厚度小于所述凸起结构的初始厚度。
5.根据权利要求4所述的半导体结构平坦化方法，其特征在于，去除部分所述凸起结构后，保留的所述凸起结构的高度为200nm~800nm。
6.根据权利要求1所述的半导体结构平坦化方法，其特征在于，对所述介质层进行平坦化处理的步骤包括：
去除所述阻挡层；
采用化学机械抛光工艺平坦化所述介质层。
7.根据权利要求6所述的半导体结构平坦化方法，其特征在于，所述阻挡层为碳材料层；使用氧气氧化工艺去除所述阻挡层。
8.根据权利要求6所述的半导体结构平坦化方法，其特征在于，所述阻挡层为氮化硅层或氮氧化硅层；采用刻蚀工艺去除所述阻挡层。
9.根据权利要求1所述的半导体结构平坦化方法，其特征在于，所述半导体结构还包括：
基底；
图形化结构，位于所述基底的上表面；所述介质层位于所述基底的上表面且覆盖所述图形化结构；所述凸起结构位于所述图形化结构的上方。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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