[发明专利]半导体结构平坦化方法

说明书

本发明涉及一种半导体结构平坦化方法，包括：提供半导体结构，半导体结构包括介质层，介质层的上表面具有凸起结构；采用沉积工艺于凸起结构的侧壁及介质层的上表面形成阻挡层；去除部分凸起结构；对介质层进行平坦化处理。本发明能够通过沉积工艺在凸起结构的侧壁以及介质层上表面形成阻挡层，因此不需要进行光刻制程即可对凸起结构进行定义，继而针对凸起结构进行刻蚀，在降低凸起结构的高度后再对介质层进行平坦化处理，能够在降低制作成本的同时不影响半导体结构平坦化的效果。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种半导体结构平坦化方法。

背景技术

在现有技术中对半导体结构进行平坦化时，会选择先将凸起部分进行适当刻蚀，进行初步平坦化之后再进行机械抛光，现有技术在对凸起部分进行初步刻蚀时会使用光刻制程，利用光阻材料填充凹陷部分，从而定义出凸起的部分，但是光刻制程本身会增加机台成本，提高了半导体结构的生产成本。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种半导体平坦化方法，其具有降低半导体结构生产成本的效果。

一种半导体结构平坦化方法，包括：

提供半导体结构，所述半导体结构包括介质层，所述介质层的上表面具有凸起结构；

采用沉积工艺于所述凸起结构的侧壁及所述介质层的上表面形成阻挡层；

去除部分所述凸起结构；

对所述介质层进行平坦化处理。

通过上述技术方案，本发明能够通过沉积工艺在凸起结构的侧壁以及介质层上表面形成阻挡层，因此不需要进行光刻制程即可对凸起结构进行定义，继而针对凸起结构进行刻蚀，在降低凸起结构的高度后再对介质层进行平坦化处理，能够在降低制作成本的同时不影响半导体结构平坦化的效果。

在其中一个实施例中，采用沉积工艺于所述凸起结构的侧壁及所述介质层的上表面形成阻挡层包括：

于所述凸起结构的侧壁、上表面及所述介质层的上表面形成阻挡材料层；

去除位于所述凸起结构的上表面的所述阻挡材料层以形成所述阻挡层。

在其中一个实施例中，所述阻挡材料层的厚度为40nm～80nm。

通过上述技术方案，阻挡材料层的厚度沉积达到40nm～80nm使得阻挡材料层在去除部分凸起结构时不易坍塌。

在其中一个实施例中，采用化学机械抛光工艺去除所述凸起结构上表面的所述阻挡材料层。

通过上述技术方案，使用化学机械抛光工艺形成阻挡层能够进一步减少半导体结构平坦化时的成本。

在其中一个实施例中，去除的所述凸起结构的厚度小于所述凸起结构的初始厚度。

在其中一个实施例中，去除部分所述凸起结构后，保留的所述凸起结构的高度为200nm～800nm。

在其中一个实施例中，对所述介质层进行平坦化处理之包括：

去除所述阻挡层；

采用化学机械抛光工艺平坦化所述介质层。

通过上述技术方案，降低平坦化处理过程中因为不同材料具有不同的选择比不同造成的其他影响，同时避免未去除的沉积材料在平坦化过程中刮伤介质层。

在其中一个实施例中，所述阻挡层为碳材料层；使用氧气氧化工艺去除所述阻挡层。

在其中一个实施例中，所述阻挡层为氮化硅层或氮氧化硅层；采用刻蚀工艺去除所述阻挡层。

在其中一个实施例中，所述半导体结构还包括：