[发明专利]图案检查装置以及图案检查方法

说明书

本发明涉及图案检查装置以及图案检查方法。本发明的一方式的图案检查装置具备：光学图像取得机构，从形成有多个图形图案的基板取得多个区域的光学图像数据；多个比较处理电路，进行裸片－裸片检查处理与裸片－数据库检查处理中的一方的处理，该裸片－裸片检查处理将光学图像数据彼此进行比较，该裸片－数据库检查处理将光学图像数据与根据设计图案数据制作的参照图像数据进行比较；以及检查处理电路，以如下方式进行控制，按多个区域的每个区域，分别将该区域的光学图像数据向多个比较处理电路中的按每个区域可变地设定的数量的比较处理电路输出，对光学图像数据的输出目的地的各比较处理电路进行裸片－裸片检查处理或裸片－数据库检查处理。

技术领域

本发明涉及图案检查装置以及图案检查方法。例如，涉及对成为用于半导体制造的试样的物体的图案缺陷进行检查的图案检查技术，涉及对制作半导体元件、液晶显示器(LCD)时所使用的光掩模、晶片、或液晶基板等的极小的图案的缺陷进行检查的方法。

背景技术

近年，伴随着大规模集成电路(LSI)的高集成化以及大容量化，半导体元件所要求的电路线宽越来越窄。这些半导体元件通过如下方式来制造：使用形成有电路图案的原图图案(也称为掩模或中间掩膜。以下，统称为掩模)，通过所谓的被称作步进曝光装置的缩小投影曝光装置将图案曝光转印到晶片上而形成电路。因此，在制造用于将该微细的电路图案转印于晶片的掩模时，采用使用了能够描绘微细的电路图案的电子束的图案描绘装置。有时也使用该图案描绘装置直接在晶片上描绘图案电路。或者，除了电子束以外还尝试开发使用激光束进行描绘的激光束描绘装置。

而且，对耗费高昂的制造成本的该LSI的制造而言，成品率的提高是必不可少的。但是，如1千兆位级的DRAM(随机读取存储器)所代表的那样，构成LSI的图案要从亚微米变成纳米的量级。作为使成品率降低的主要因素之一，可列举出利用光刻技术在半导体晶片上曝光、转印出超微细图案时所使用的掩模的图案缺陷。近年，伴随着形成于半导体晶片的LSI图案尺寸的微细化，必须检测为图案缺陷的尺寸也变得极小。因此，检查LSI制造中所使用的转印用掩模的缺陷的图案检查装置的高精度化变得必要。

作为检查方法，已知有如下方法：通过将使用放大光学系统以规定的倍率拍摄了形成于光刻掩模等试样上的图案而得到的光学图像与设计数据、或拍摄了试样上的同一图案而得到的光学图像进行比较来进行检查。例如，作为图案检查方法，有将拍摄了同一掩模上的不同地方的同一图案而得到的光学图像数据彼此进行比较的“die to die(裸片—裸片)检查”、对检查装置输入将经图案设计的CAD数据转换为在掩模上描绘图案时用于描绘装置输入的装置输入格式而得到的描绘数据(设计数据)，在此基础上生成设计图像(参照图像)，并将该设计图像与拍摄了图案而得到的成为测定数据的光学图像进行比较的“dieto data base(裸片—数据库)检查”。在该检查装置的检查方法中，试样被载置于台架上，通过台架移动使得光束在试样上扫描，而进行检查。通过光源以及照明光学系统对试样照射光束。透射试样或在试样反射后的光经由光学系统在传感器上成像。由传感器拍摄到的图像作为测定数据被向比较电路发送。在比较电路中，在图像彼此对位后，按照适当的算法将测定数据与参照数据进行比较，在不落入许可范围内的情况下，判定为有图案缺陷。

在此，上述的裸片－裸片(DD)检查与裸片－数据库(DB)检查独立地动作。因此，在检查一张基板时，在希望进行上述的裸片－裸片检查的区域与希望进行裸片－数据库检查的区域混合存在的情况下，需要特意实施两次检查。因此，在进行两次检查的情况下，需要进行两次的扫描动作与两次的设置动作，存在检查时间长期化的问题。