[发明专利]晶片的制造方法、线锯用再利用浆的品质评价方法和线锯用使用完毕浆的品质评价方法

说明书

本发明涉及晶片的制造方法、线锯用再利用浆的品质评价方法和线锯用使用完毕浆的品质评价方法。提供能够通过抑制起因于再利用浆的品质的加工品质的劣化来稳定地提高晶片的平坦度的晶片的制造方法，所述再利用浆被提供给利用线锯的切片加工。利用供给了包括磨粒和冷却剂的浆的线锯来对锭进行切片加工。使用完毕浆被回收而在分离和除去小颗粒之后新添加混合磨粒和冷却剂而做成再利用浆。再利用浆在新的锭的切片加工时被供给到线锯。本发明的特征在于，使再利用浆的依照下述定义的小颗粒体积分数R_A为5.0%以下，小颗粒体积分数R_A：将所述再利用浆中的颗粒的体积粒度分布中的平均粒径设为R_A1，将具有作为R_A1/2的基准粒径R_A2以下的粒径的颗粒定义为小颗粒，为所述再利用浆中的颗粒之中所述小颗粒所占有的体积比率。

技术领域

本发明涉及晶片的制造方法，在所述晶片的制造方法中重复进行利用供给了浆的线锯来对锭进行切片加工而得到多个晶片的工序，所述浆包括磨粒和冷却剂。此外，本发明涉及线锯用再利用浆的品质评价方法和线锯用使用完毕浆的品质评价方法。

背景技术

将由硅或化合物半导体等构成的锭切断来制造成为半导体器件的基板的晶片。近年来，作为锭的切断方法，利用供给了包括磨粒和冷却剂的浆的线锯来对锭进行切片加工而同时得到多个晶片的游离磨粒方式成为了主流。

在此，进行了：在切片加工中使用的使用完毕浆被回收而在分离和除去小颗粒之后新添加混合磨粒和冷却剂来做成再利用浆，在新的锭的切片加工时将该再利用浆供给到线锯。在此，小颗粒主要由伴随着切片加工而从锭产生的硅屑构成，此外，还包括由于线被削而产生的线屑或磨耗而小径化后的磨粒。

例如，在专利文献1中，记载了：在通过从使用完毕浆回收有效磨粒并除去磨损的磨粒并且添加相当于除去的磨粒的量的新的磨粒来再生浆的方法中，使新的磨粒的平均圆形度为0.855~0.875的范围，使新的磨粒的重量比为约20%，使再生浆所包括的磨粒的平均圆形度为0.870~0.915的范围。

此外，在专利文献2中，记载了：准备追加磨粒群，在用于切断处理的磨粒群中添加并混合规定的量的追加磨粒群，对混合的磨粒群进行分级处理，以使磨粒的大小为第1磨粒径以上且第2磨粒径以下。根据该方法，能够减少废弃的磨粒的量，并且，能够施行与新的磨粒群同样的质量的研磨处理。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2004-255534号公报；

专利文献2：日本特开2011-218516号公报。

发明要解决的课题

浆中所包括的小颗粒不仅不会有助于锭的切削，而且阻碍有助于切削的主要由中径（medium diameter）的磨粒进行的切削。因此，在再利用浆中的小颗粒的量较多的情况下，通过使用该再利用浆来进行的切片加工而制造的晶片的平坦度处于劣化的趋势。以往，在使用完毕浆的再生处理中，利用离心分离方式的分级处理来从使用完毕浆分离和除去小颗粒。然而，本发明人们认识到，根据回收的使用完毕浆中的小颗粒的量等，存在不能充分除去小颗粒的情况，在该情况下，再利用浆中的小颗粒的量也变多，作为结果，损害了切片加工品质（即晶片的平坦度）。因此，本发明人们达到需要适当地评价并管理使用完毕浆或再利用浆中的小颗粒的量的认识。

发明内容

鉴于上述课题，本发明的目的在于提供能够通过抑制起因于再利用浆的品质的加工品质的劣化来稳定地提高晶片的平坦度的晶片的制造方法，所述再利用浆被提供给利用线锯的切片加工。此外，本发明的目的在于提供能够适当地评价使用完毕浆和再利用浆的品质的品质评价方法。

用于解决课题的方案