[发明专利]一种放大器电路在审
申请号: | 201911121883.0 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN112821875A | 公开(公告)日: | 2021-05-18 |
发明(设计)人: | 刘三林;刘志 | 申请(专利权)人: | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32;H03F3/24 |
代理公司: | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人: | 莎日娜 |
地址: | 100083 北京市海淀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 放大器 电路 | ||
1.一种放大器电路,其特征在于,所述放大器电路包括:
折叠共源共栅输入模块、浮动电流源闭环模块、偏置电路模块以及输出模块;
所述折叠共源共栅输入模块、所述浮动电流源闭环模块、所述偏置电路模块以及所述输出模块相互连接;
所述折叠共源共栅输入模块用于为所述放大器电路提供输入信号;
所述浮动电流源闭环模块用于抑制所述折叠共源共栅输入模块的输出阻抗降低,以及,与所述偏置电路模块共同控制所述放大器电路中的输出级电路的静态电流;
所述偏置电路模块用于为所述浮动电流源闭环模块提供偏置电压,以及,与所述浮动电流源闭环模块共同控制所述放大器电路中的输出级电路的静态电流;
所述输出模块用于输出所述放大器电路产生的电流以及补偿所述放大器电路的频率特性;
其中,所述偏置电路模块为所述浮动电流源闭环模块中的晶体管的栅极提供偏置电压,以使得所述放大器电路的输出级偏置在甲乙类,并且所述偏置电路模块与所述浮动电流源闭环模块共同控制所述输出模块中的晶体管的静态电流,进而控制所述放大器电路中的输出级电路的静态电流。
2.根据权利要求1所述的放大器电路,其特征在于,所述折叠共源共栅输入模块包括:第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管;
所述第一NMOS管和所述第二NMOS管构成输入级差分输入对管,用于接收外部信号;
所述第三NMOS管、所述第四NMOS管、所述第八NMOS管、所述第五NMOS管、所述第六NMOS管、所述第七NMOS管构成所述放大器电路中的差分输入级电路的共源共栅电流镜负载,以产生所述放大器电路中差分输入级电路的输出电流以及控制所述浮动电流源闭环模块中MOS管的漏极电压;
所述第一PMOS管、所述第二PMOS管构成输入级电流镜;
所述第三PMOS管、所述第四PMOS管构成输入级共源共栅结构;所述输入级电流镜和所述输入级共源共栅结构共同作用,以产生所述放大器电路中的差分输入级电路的输出电流。
3.根据权利要求2所述的放大器电路,其特征在于,所述浮动电流源闭环模块包括:第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管;
所述第十NMOS管、所述第十一NMOS管构成反馈级差分输入对管;
所述第七PMOS管、所述第八PMOS管构成反馈级电流镜负载,所述反馈级差分输入对管和所述反馈级电流镜负载共同作用,控制所述第九NMOS管的漏极电压,使得所述第九NMOS管的漏极电压与自身的栅极电压相等。
4.根据权利要求3所述的放大器电路,其特征在于,所述偏置电路模块包括:第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第九PMOS管以及第十PMOS管;
所述第十二NMOS管、所述第十三NMOS管以及固定电流源共同作用,为所述第九NMOS管提供偏置电压,同时使得所述第九NMOS管的漏源电压与所述第十三NMOS管的漏源电压相等;
所述第十四NMOS管、所述第九PMOS管、所述第十PMOS管以及固定电流源共同作用,为所述第五PMOS管提供偏置电压,同时使得所述第五PMOS管的漏源电压与所述第十PMOS管的漏源电压相等。
5.根据权利要求4所述的放大器电路,其特征在于,所述输出模块包括:第十五NMOS管、第十一PMOS管、第一电阻、第二电阻、第一电容以及第二电容;
所述第十五NMOS管、所述第十一PMOS管的漏极为所述放大器电路的输出端;
所述第一电阻和所述第一电容构成密勒补偿结构,为所述放大器电路提供频率补偿;
所述第二电阻和所述第二电容构成密勒补偿结构,为所述放大器电路提供频率补偿。
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