[发明专利]一种放大器电路在审

专利信息
申请号: 201911121883.0 申请日: 2019-11-15
公开(公告)号: CN112821875A 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 刘三林;刘志 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: H03F1/32 分类号: H03F1/32;H03F3/24
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 代理人: 莎日娜
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 放大器 电路
【说明书】:

发明提供一种放大器电路,涉及电子领域。所述放大器电路包括:折叠共源共栅输入模块、浮动电流源闭环模块、偏置电路模块以及输出模块;折叠共源共栅输入模块用于为放大器电路提供输入信号;浮动电流源闭环模块用于抑制输出阻抗降低以及控制放大器输出级电路的静态电流;偏置电路模块用于提供偏置电压以及控制放大器输出级电路的静态电流;输出模块用于输出放大器电路产生的电流。本发明的放大器电路不但精确控制输出级电路的静态电流,并且提高了放大器差分输入级的输出阻抗,最终提高了放大器的增益以及电源抑制比。整个放大器电路增加的元器件较少,成本较低且兼容性很强,运行可靠性高,极大的丰富了用户使用AB类放大器的选择。

技术领域

本发明涉及电子领域,特别是一种放大器电路。

背景技术

运算放大器是模拟电路系统的重要组成部分,用来构造信号放大,信号滤波,功率放大等各种功能的电路,当运算放大器需要驱动小电阻和大电容时,通常把输出级偏置在甲乙类(AB类或者class-AB类),AB类放大器的静态电流小,并能够产生非常大的输出电流到负载上,具有效率高,失真小的优点。一般高性能的AB类放大器需要有很高的增益和电源抑制比。

目前AB类放大器由于内部元件特征以及电路各元件配合等原因,导致AB类放大器的输出电流控制不能够很精确,尤其是对输出电流的静态电流的控制很难做到精确控制,当工作电源电压变化时,输出电流静态电流就会发生较大幅度的变化,从而导致AB类放大器的电源抑制比降低,使得AB类放大器的失真程度变大。

发明内容

鉴于上述问题,本发明提供一种放大器电路,解决了上述问题。

本发明实施例提供了一种放大器电路,所述放大器电路包括:

折叠共源共栅输入模块、浮动电流源闭环模块、偏置电路模块以及输出模块;

所述折叠共源共栅输入模块、所述浮动电流源闭环模块、所述偏置电路模块以及所述输出模块相互连接;

所述折叠共源共栅输入模块用于为所述放大器电路提供输入信号;

所述浮动电流源闭环模块用于抑制所述折叠共源共栅输入模块的输出阻抗降低,以及,与所述偏置电路模块共同控制所述放大器电路中的输出级电路的静态电流;

所述偏置电路模块用于为所述浮动电流源闭环模块提供偏置电压,以及,与所述浮动电流源闭环模块共同控制所述放大器电路中的输出级电路的静态电流;

所述输出模块用于输出所述放大器电路产生的电流以及补偿所述放大器电路的频率特性;

其中,所述偏置电路模块为所述浮动电流源闭环模块中的晶体管的栅极提供偏置电压,以使得所述放大器电路的输出级偏置在甲乙类,并且所述偏置电路模块与所述浮动电流源闭环模块共同控制所述输出模块中的晶体管的静态电流,进而控制所述放大器电路中的输出级电路的静态电流。

可选地,所述折叠共源共栅输入模块包括:第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管;

所述第一NMOS管和所述第二NMOS管构成输入级差分输入对管,用于接收外部信号;

所述第三NMOS管、所述第四NMOS管、所述第八NMOS管、所述第五NMOS管、所述第六NMOS管、所述第七NMOS管构成所述放大器电路中的差分输入级电路的共源共栅电流镜负载,以产生所述放大器电路中差分输入级电路的输出电流以及控制所述浮动电流源闭环模块中MOS管的漏极电压;

所述第一PMOS管、所述第二PMOS管构成输入级电流镜;

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