[发明专利]成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法在审

专利信息
申请号: 201911124036.X 申请日: 2019-11-18
公开(公告)号: CN111378944A 公开(公告)日: 2020-07-07
发明(设计)人: 菅原洋纪;松本行生 申请(专利权)人: 佳能特机株式会社
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/50;C23C14/56;H01L21/67
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 刘杨
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 装置 方法 以及 电子器件 制造
【说明书】:

本发明提供成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法,即使在具有不均匀的压力分布的腔室内一边使溅射区域移动一边进行溅射的情况下,也能够抑制溅射的品质降低。成膜装置(1)具有在内部配置成膜对象物(6)和靶(2)的腔室(10)、和使从靶(2)产生溅射粒子的溅射区域(A1)在腔室(10)内移动的移动部件(移动台驱动装置(12))。成膜装置(1)一边通过移动部件使溅射区域(A1)移动一边使溅射粒子堆积于成膜对象物(6)而成膜。移动部件根据溅射区域(A1)附近的压力,使溅射区域(A1)的移动速度变化。

技术领域

本发明涉及成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。

背景技术

作为在基板或形成在基板上的层叠体等成膜对象物上形成由金属或金属氧化物等材料构成的薄膜的方法,广泛已知有溅射法。通过溅射法进行成膜的成膜装置具有在真空腔室内使由成膜材料构成的靶与成膜对象物相向地配置的结构。若对靶施加电压,则在靶的附近产生等离子体,通过电离的惰性气体元素与靶表面碰撞而从靶表面放出溅射粒子,放出的溅射粒子在成膜对象物上堆积而成膜。另外,还已知有在靶的背面(圆筒形的靶的情况下为靶的内侧)配置磁铁,通过产生的磁场提高阴极附近的电子密度来高效地进行溅射的磁控溅射法。

作为现有的这种成膜装置,例如已知有专利文献1所记载那样的装置。专利文献1的成膜装置使靶相对于成膜对象物的成膜面平行移动而成膜。

专利文献1:日本特开2015-172240号公报

在此,存在成膜装置的腔室内的压力不均匀的情况。即,如在导入溅射气体的气体导入口的附近压力高且在与真空泵连接的排气口附近压力低那样,存在腔室内的压力分布不均匀的情况。当如专利文献1那样在腔内一边使阴极移动一边进行溅射时,从靶的表面放出溅射粒子的溅射区域也相对于腔室移动。因此,如上述那样在腔室内的压力分布不均匀的条件下一边使溅射区域移动一边进行溅射时,溅射区域的周边的压力在溅射工艺的期间变化。溅射粒子的平均自由行程与压力成反比,在分子密度低且压力低的区域长,在分子密度高且压力高的区域短,因此,若压力不同,则成膜速率会发生变化。其结果,有可能产生成膜的品质降低、例如膜厚、膜质不均等。但是,在专利文献1中没有记载与腔室内的溅射气体的压力分布相应的成膜的控制。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而完成的,其目的在于,即使在具有不均匀的压力分布的腔室内一边使溅射区域移动一边进行溅射的情况下,也能够抑制溅射的品质降低。

用于解决课题的技术方案

作为本发明的一技术方案的成膜装置,具有:腔室,内部配置有成膜对象物以及靶;以及移动部件,使从所述靶产生溅射粒子的溅射区域在所述腔室内移动,该成膜装置一边利用所述移动部件使所述溅射区域移动,一边使所述溅射粒子堆积于所述成膜对象物而成膜,其特征在于,所述移动部件根据所述溅射区域的附近的压力,使所述溅射区域的移动速度变化。

作为本发明的一技术方案的成膜装置,具有:腔室,内部配置有成膜对象物以及靶,且具备将气体从所述腔室排出的排气口;以及移动部件,使从所述靶产生溅射粒子的溅射区域在所述腔室内移动,该成膜装置一边利用所述移动部件使所述溅射区域移动,一边使所述溅射粒子堆积于所述成膜对象物而成膜,其特征在于,所述移动部件根据所述溅射区域与所述排气口的位置关系,使所述溅射区域的移动速度变化。

作为本发明的一技术方案的成膜方法,是使用了配置有成膜对象物和靶的腔室的成膜方法,其特征在于,该成膜方法包括一边使从所述靶产生溅射粒子的溅射区域在所述腔室内移动,一边使所述溅射粒子堆积于所述成膜对象物而成膜的成膜工序,在所述成膜工序中,根据所述溅射区域的附近的压力,使所述溅射区域的移动速度变化。

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