[发明专利]成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法

说明书

本发明涉及成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。即便在具有不均匀的压力分布的腔室内一边使溅射区域移动一边进行溅射的情况下，也可以抑制溅射的品质降低。成膜装置(1)具有：在内部配置成膜对象物(6)和靶(2)的腔室(10)、以及使从靶(2)产生溅射粒子的溅射区域(A1)在腔室(10)内移动的移动机构(移动台驱动装置(12))。成膜装置(1)利用移动机构使溅射区域(A1)移动并且使溅射粒子堆积于成膜对象物(6)而成膜。成膜装置(1)具有调节腔室(10)内的压力的压力调节机构(排气机构(15)、气体导入机构(16))，压力调节机构根据腔室(10)内的溅射区域(A1)的位置来调节腔室内的压力。

技术领域

本发明涉及成膜装置、成膜方法以及电子器件的制造方法。

背景技术

作为在基板或形成在基板上的层叠体等成膜对象物上形成由金属或金属氧化物等材料构成的薄膜的方法，溅射法广为人知。利用溅射法进行成膜的成膜装置具有在真空腔内使由成膜材料构成的靶和成膜对象物相向配置的结构。若对靶施加电压，则在靶的附近产生等离子体，电离的惰性气体元素与靶表面碰撞而从靶表面放出溅射粒子，放出的溅射粒子堆积于成膜对象物而成膜。另外，磁控管溅射法也是已知的，在该磁控管溅射法中，在靶的背面(在圆筒形的靶的情况下为靶的内侧)配置磁铁，通过产生的磁场提高阴极附近的电子密度，从而高效地进行溅射。

作为以往的这种成膜装置，例如，专利文献1中记载的成膜装置是已知的。专利文献1的成膜装置使靶相对于成膜对象物的成膜面平行移动而成膜。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2015-172240号公报

发明要解决的课题

在此，成膜装置的腔室内的压力有时不均匀。即，如在导入溅射气体的气体导入口的附近压力较高而在与真空泵连接的排气口的附近压力较低那样，腔室内的压力分布有时变得不均匀。当如专利文献1那样在腔室内一边使阴极移动一边进行溅射时，从靶的表面放出溅射粒子的溅射区域也相对于腔室移动。因此，当如上所述在腔室内的压力分布不均匀的条件下一边使溅射区域移动一边进行溅射时，溅射区域的周边的压力在溅射处理期间发生变化。溅射粒子的平均自由行程与压力成反比，在分子密度低且压力低的区域中长，在分子密度高且压力高的区域中短，因此，若压力不同，则成膜率会发生变化。其结果是，有可能产生成膜的品质降低、例如膜厚、膜质的不均等。但是，在专利文献1中，没有记载与腔室内的溅射气体的压力分布相应的成膜的控制。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而作出的，其目的在于：即便在具有不均匀的压力分布的腔室内一边使溅射区域移动一边进行溅射的情况下，也可以抑制溅射的品质降低。

用于解决课题的方案

本发明的一方案的成膜装置的特征在于，具有：腔室，所述腔室在内部配置成膜对象物以及靶；以及移动机构，所述移动机构使从所述靶产生溅射粒子的溅射区域在所述腔室内移动，所述成膜装置利用所述移动机构使所述溅射区域移动并且使所述溅射粒子堆积于所述成膜对象物而成膜，所述成膜装置具有调节所述腔室内的压力的压力调节机构，所述压力调节机构根据所述腔室内的所述溅射区域的位置对所述腔室内的压力进行调节。

本发明的一方案的成膜方法使用配置有成膜对象物和靶的腔室，其特征在于，包括成膜工序，在所述成膜工序中，使从所述靶产生溅射粒子的溅射区域在所述腔室内移动，并且使所述溅射粒子堆积于所述成膜对象物而成膜，在所述成膜工序中，根据所述腔室内的所述溅射区域的位置对所述腔室内的压力进行调节。