[发明专利]一种芯片的同步方法及相关装置有效
申请号: | 201911124104.2 | 申请日: | 2019-11-15 |
公开(公告)号: | CN112817368B | 公开(公告)日: | 2023-03-03 |
发明(设计)人: | 聂瑞杰;雷张伟;王文昌 | 申请(专利权)人: | 深圳市海思半导体有限公司 |
主分类号: | G06F1/12 | 分类号: | G06F1/12 |
代理公司: | 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 | 代理人: | 吴磊 |
地址: | 518129 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 同步 方法 相关 装置 | ||
1.一种芯片的同步方法,其特征在于,包括:
第一芯片持续向第二芯片发送同步信号,所述同步信号为矩形波信号;
所述第一芯片在所述同步信号中加入上升沿或下降沿,并在等待第一偏移时间后,所述第一芯片进入预设工作模式;
其中,当所述第一芯片在所述同步信号中加入上升沿时,所述第一芯片在等待所述第一偏移时间后进入第一工作模式,当所述第一芯片在所述同步信号中加入下降沿时,所述第一芯片在等待所述第一偏移时间后进入第二工作模式,所述预设工作模式包括所述第一工作模式和所述第二工作模式。
2.根据权利要求1所述的芯片的同步方法,其特征在于,所述第一芯片在所述同步信号中加入上升沿或下降沿,并在等待第一偏移时间后,所述第一芯片进入预设工作模式,包括:
所述第一芯片在所述同步信号中加入第一信号沿,并在等待所述第一偏移时间后,所述第一芯片进入激光探测及测距模式;
所述第一芯片在所述同步信号中加入第二信号沿,并在等待所述第一偏移时间后,所述第一芯片从所述激光探测及测距模式切换到标定校准模式,所述预设工作模式包括所述激光探测及测距模式和所述标定校准模式;
其中,所述第一信号沿为上升沿且所述第二信号沿为下降沿,或者,所述第一信号沿为下降沿且所述第二信号沿为上升沿。
3.根据权利要求1所述的芯片的同步方法,其特征在于,所述第一芯片在所述同步信号中加入上升沿或下降沿,并在等待第一偏移时间后,所述第一芯片进入预设工作模式,包括:
若所述第一芯片在所述同步信号中加入的第一个信号沿为上升沿,所述第一芯片在等待所述第一偏移时间后,进入标定校准模式,并且当所述第一芯片在所述同步信号中加入下降沿后,所述第一芯片在等待所述第一偏移时间后,从所述标定校准模式切换到激光探测及测距模式;
若所述第一芯片在所述同步信号中加入的第一个信号沿为下降沿,所述第一芯片在等待所述第一偏移时间后,进入所述标定校准模式,并且当所述第一芯片在所述同步信号中加入下降沿后,所述第一芯片在等待所述第一偏移时间后,从所述标定校准模式切换到所述激光探测及测距模式;
其中,所述预设工作模式包括所述标定校准模式和所述激光探测及测距模式。
4.根据权利要求1所述的芯片的同步方法,其特征在于,在所述第一芯片在所述同步信号中加入上升沿的次数达到预置数值时,所述第一芯片停止进入所述第一工作模式;
或者,在所述第一芯片在所述同步信号中加入下降沿的次数达到所述预置数值时,所述第一芯片停止进入所述第二工作模式。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的芯片的同步方法,其特征在于,所述第一芯片为主芯片,所述第二芯片为从芯片。
6.一种芯片的同步方法,其特征在于,包括:
第二芯片持续接收第一芯片发送的同步信号,所述同步信号为矩形波信号;
当所述第二芯片接收到的同步信号中出现上升沿或下降沿后,所述第二芯片在等待第二偏移时间后,所述第二芯片进入预设工作模式;
其中,当所述第二芯片接收到的同步信号中出现上升沿时,所述第二芯片在等待所述第二偏移时间后进入第一工作模式,当所述第二芯片接收到的同步信号中出现下降沿时,所述第二芯片在等待所述第二偏移时间后进入第二工作模式,所述预设工作模式包括所述第一工作模式和所述第二工作模式。
7.根据权利要求6所述的芯片的同步方法,其特征在于,所述当所述第二芯片接收到的同步信号中出现上升沿或下降沿后,所述第二芯片在等待第二偏移时间后,所述第二芯片进入预设工作模式,包括:
当所述第二芯片接收到的同步信号中出现第一信号沿后,所述第二芯片在等待所述第二偏移时间后,进入激光探测及测距模式;
当所述第二芯片接收到的同步信号中出现第二信号沿后,所述第二芯片在等待所述第二偏移时间后,从所述激光探测及测距模式切换到标定校准模式,所述预设工作模式包括所述激光探测及测距模式和所述标定校准模式;
其中,所述第一信号沿为上升沿且所述第二信号沿为下降沿,或者,所述第一信号沿为下降沿且所述第二信号沿为上升沿。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市海思半导体有限公司,未经深圳市海思半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911124104.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。