[发明专利]一种芯片的同步方法及相关装置有效

专利信息
申请号: 201911124104.2 申请日: 2019-11-15
公开(公告)号: CN112817368B 公开(公告)日: 2023-03-03
发明(设计)人: 聂瑞杰;雷张伟;王文昌 申请(专利权)人: 深圳市海思半导体有限公司
主分类号: G06F1/12 分类号: G06F1/12
代理公司: 深圳市深佳知识产权代理事务所(普通合伙) 44285 代理人: 吴磊
地址: 518129 广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 同步 方法 相关 装置
【说明书】:

本申请实施例公开了一种芯片的同步方法及相关装置,用于降低芯片设计和布局时的复杂度。本申请实施例方法包括:第一芯片持续向第二芯片发送同步信号;第一芯片在同步信号中加入上升沿或下降沿,并在等待第一偏移时间后,进入预设工作模式;第二芯片持续接收同步信号,当接收到的同步信号出现上升沿或下降沿后,第二芯片在等待第二偏移时间后,进入预设工作模式;本申请实施例方法仅仅需要占用一个芯片管脚来发送同步信号,即可实现多个芯片同步进入同一个工作模式,能够有效降低芯片设计和布局时的复杂度。

技术领域

本申请涉及计算机技术领域,尤其涉及一种芯片的同步方法及相关装置。

背景技术

目前,在很多场合下都需要多个芯片来进行同步工作,例如,在激光探测及测距(light detection and ranging LIDAR)信号处理系统中,往往需要多个级联工作的芯片来实现激光探测及测距。

然而,目前的芯片间同步技术较为复杂,需要占用过多的芯片管脚和逻辑资源来实现多个芯片同步进入某一个工作模式,增加了芯片设计和布局的难度。

发明内容

本申请实施例提供了一种芯片的同步方法及相关装置,由主芯片在向从芯片发送的同步信号中加入上升沿或下降沿来触发从芯片进入工作模式,并且主芯片在等待一定时间后再进入工作模式,确保了主芯片和从芯片能够在同一个时间点进入工作模式,本方案中仅仅需要占用一个芯片管脚来发送同步信号,即可实现多个芯片同步进入同一个工作模式,降低了芯片设计和布局时的复杂度。

本申请实施例第一方面提供了一种芯片的同步方法,该方法包括:在需要多芯片同步工作的场景下,第一芯片可以通过芯片管脚间的连接线持续向第二芯片发送同步信号,具体地,该第一芯片可以是主芯片,该第二芯片可以是从芯片,该同步信号为矩形波信号;在第一芯片持续发送同步信号的过程中,该第一芯片可以在同步信号中加入上升沿或下降沿,以使得第二芯片可以根据同步信号中的上升沿或下降沿进入预设工作模式,并且,第一芯片在等待第一偏移时间后,进入预设工作模式,以实现第一芯片和第二芯片同步进入同一个工作模式。

本申请实施例中,由主芯片在向从芯片发送的同步信号中加入上升沿或下降沿来触发从芯片进入工作模式,并且主芯片在等待一定时间后再进入工作模式,确保了主芯片和从芯片能够在同一个时间点进入工作模式,且本方案中仅仅需要占用一个芯片管脚来发送同步信号,即可实现多个芯片同步进入同一个工作模式,降低了芯片设计和布局时的复杂度。

结合上述第一方面,在第一方面第一种可能的实现方式中,第一芯片在同步信号中加入上升沿或下降沿,并在等待第一偏移时间后,第一芯片进入预设工作模式,包括:第一芯片在同步信号中加入上升沿,并在等待第一偏移时间后,第一芯片进入第一工作模式;第一芯片在同步信号中加入下降沿,并在等待第一偏移时间后,第一芯片进入第二工作模式,其中,预设工作模式包括第一工作模式和第二工作模式;也就是说,上升沿与第一工作模式具有对应关系,且下降沿与第二工作模式具有对应关系,第一芯片可以根据加入的信号沿的类型决定所进入的工作模式或者通过改变加入的信号沿来实现工作模式的切换。

本申请实施例中,由主芯片在向从芯片发送的同步信号中加入上升沿或下降沿来触发从芯片进入不同的工作模式或者实现工作模式的切换,通过单个同步信号实现了多芯片间同步切换工作模式,降低了芯片设计和布局时的复杂度。

结合上述第一方面第一种可能的实现方式,在第一方面第二种可能的实现方式中,在第一芯片在同步信号中加入上升沿的次数达到预置数值时,第一芯片停止进入第一工作模式,即第一芯片在进入第一工作模式的次数达到预置数值之后,第一芯片不再进入第一工作模式;或者,在第一芯片在同步信号中加入下降沿的次数达到预置数值时,第一芯片停止进入第二工作模式,即第一芯片在进入第二工作模式的次数达到预置数值之后,第一芯片不再进入第二工作模式。

本申请实施例中,在芯片进入某一个工作模式的次数达到预置数值之后,该芯片不再进入该工作模式,从而节省芯片的资源开销,提高了方案的灵活性。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市海思半导体有限公司,未经深圳市海思半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911124104.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top