[发明专利]一种高精度振荡器电路

权利要求书

1.一种高精度振荡器电路，其特征在于，所述振荡器电路包括温度补偿电路和时钟产生电路；其中，

所述温度补偿电路包括第一电容器、第二电容器、第一电阻器、第二电阻器、第一放大器、第一带隙基准电压源、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管和第五PMOS晶体管；第二电阻器的一端与第一电阻器的一端相连接，第一电阻器的另一端、第五PMOS晶体管的漏端与第一放大器的负输入端相连接，第五PMOS晶体管的栅端、第三PMOS晶体管的栅端与第四PMOS晶体管的栅端相连接，第五PMOS晶体管的源端和衬底、第三PMOS晶体管的源端和衬底、第四PMOS晶体管的源端和衬底、第一PMOS晶体管的衬底、第二NMOS晶体管的衬底、第一放大器的电源端与电源端VDD相连接，第一放大器的正输入端与带隙基准电压源VREF相连接，第三PMOS晶体管的漏端与第一PMOS晶体管的源端相连接，第四PMOS晶体管的漏端与第二NMOS晶体管的源端相连接，第一PMOS晶体管的栅端与第一NMOS晶体管的栅端相连接，并作为第一输入端，第二PMOS晶体管的栅端与第二NMOS晶体管的栅端相连接，并作为第二输入端，第一PMOS晶体管的漏端、第一电容器的一端与第一NMOS晶体管的漏端相连接，并作为第一输出端，第二PMOS晶体管的漏端、第二电容器的一端与第二NMOS晶体管的漏端相连接，并作为第二输出端，第二电阻器的另一端、第一电容器的另一端、第二电容器的另一端、第一NMOS晶体管的源端和衬底、第二NMOS晶体管的源端和衬底、第一放大器的地端与地端VSS相连接；

所述时钟产生电路包括第一比较器、第二比较器、第一反向器、第二反向器、第三反向器、第四反向器、第一与门器、第二与门器、第三与门器和第四与门器；第一比较器的正输入端、第二比较器的正输入端与带隙基准电压VREF相连接，第一比较器的负输入端与温度补偿电路中的第二输出端相连接，第二比较器的负输入端与温度补偿电路中的第一输出端相连接，第一比较器的输出端与第一反向器的输入端相连接，第二比较器的输出端与第二反向器的输入端相连接，第一反向器的输出端与第一与门器的一输入端相连接，第二反向器的输出端与第二与门器的一输入端相连接，第一与门器的另一输入端、第二与门器的输出端与第三与门器的一输入端相连接，第二与门器的另一输入端、第一与门器的输出端与第四与门器的一输入端相连接，第三与门器的另一输入端、第四与门器的输出端与第四反向器的输入端相连接，第四与门器的另一输入端、第三与门器的输出端与第三反向器的输入端相连接，第三反向器的输出端作为第一输入端，第四反向器的输出端作为第二输入端，第一比较器的电源端、第二比较器的电源端、第一反向器的电源端、第二反向器的电源端、第三反向器的电源端、第四反向器的电源端、第一与门器的电源端、第二与门器的电源端、第三与门器的电源端、第四与门器的电源端与电源端VDD相连接，第一比较器的地端、第二比较器的地端、第一反向器的地端、第二反向器的地端、第三反向器的地端、第四反向器的地端、第一与门器的地端、第二与门器的地端、第三与门器的地端、第四与门器的地端与地端VSS相连接。