[发明专利]一种高精度振荡器电路

说明书

本发明提供了一种高精度振荡器电路，所述振荡器电路包括温度补偿电路和时钟产生电路，其中，所述温度补偿电路包括第一电容器、第二电容器、第一电阻器、第二电阻器、第一放大器、第一带隙基准电压源、第一NMOS晶体管、第二NMOS晶体管、第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第三PMOS晶体管、第四PMOS晶体管和第五PMOS晶体管；所述时钟产生电路包括第一比较器、第二比较器、第一反向器、第二反向器、第三反向器、第四反向器、第一与门器、第二与门器、第三与门器和第四与门器；本发明的高精度振荡器电路引入第一比较器和第二比较器，减小输出频率因温度变化带来的变化；总体上，结构简单，易于集成，输出电压稳定。

技术领域

本发明涉及SIM卡技术中的集成电路技术领域，尤其涉及一种高精度振荡器电路。

背景技术

本发明涉及SIM技术中的集成电路技术领域，其中振荡器输出时钟的稳定性对系统工作的稳定性越来越重要，它的性能直接关系到SIM卡能否正常工作。

随着现在大容量和高安全性SIM卡的应用，系统对时钟的速率和稳定性要求越来越高，振荡器一般分为石英晶体振荡器、LC振荡器和RC振荡器等，由于RC振荡器结构简单、容易振荡、面积小、功耗低、易于集成等优点，RC振荡器被广泛应用在集成电路领域，但RC振荡器输出频率容易受温度、工艺偏差的影响，精确度会比较差。因此，高精度、低成本的RC振荡器电路的设计和研究具有非常重要的意义。

参看图1，为一种现在常用的RC振荡器电路结构，其工作原理如下：该RC振荡器电路结构中，RC振荡器为环形振荡器，假定节点N3受到一个微小的干扰，产生了正跳变，经过第一反向器INV1和第二电容器C2的延迟T后，并被放大成一个更大的负跳变信号N1，再经过第二反向器INV2和第三电容器C3的延迟T后，并继续被放大成一个更大的正跳变信号N2，再经过第三反向器INV3和第一电容器C1的延迟T后，并继续被放大成一个更大的负跳变信号N3，再经过3T后N3信号又变成正跳变，形成一个正反馈，产生自激振荡，周期为6T。

但上述RC振荡器电路还存在一些不足：首先，上述电路中的电容器和反向器里的器件容易受到工艺偏差和温度的影响，使得输出时钟频率不稳定；而且，IREF一般由带隙基准电压产生，很容易受温度和工艺偏差影响，造成输出时钟频率不稳定。

发明内容

针对上述现有技术中存在的不足，本发明的目的是提供一种高精度振荡器电路，包括温度补偿电路和时钟产生电路，具有易于集成，输出电压稳定的特点。

为了达到上述技术目的，本发明所采用的技术方案是：