[发明专利]一种用于背光显示的倒装LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种用于背光显示的倒装LED芯片，其特征在于，包括衬底、发光结构、第一反射层和散射层，所述衬底的正面包括发光区和反射区，所述衬底的背面设有散射区和出光区，所述反射区位于发光区的四周，所述出光区位于散射区的四周，且所述散射区位于发光区的上方；

所述发光结构设置在发光区，所述第一反射层设置在反射区；

所述散射层设置在散射区，所述散射层包括SiO₂层和Al层，所述SiO₂层设置在衬底和Al层之间；

发光结构向衬底一侧发出的光经过散射层进行散射和反射，经过散射层反射后的光被第一反射层反射到衬底的出光区出射，以提高芯片的出光角度。

2.如权利要求1所述的用于背光显示的倒装LED芯片，其特征在于，所述散射层位于发光结构的正上方，所述散射层与衬底的接触面积为a，所述发光结构与衬底的接触面积为b，a＝(0.8～1.1)*b。

3.如权利要求2所述的用于背光显示的倒装LED芯片，其特征在于，所述发光结构位于衬底正面的几何中心上，所述发光结构与衬底边缘的距离为d，所述衬底的厚度为h，d＝(0.7～1.2)*h。

4.如权利要求1所述的用于背光显示的倒装LED芯片，其特征在于，所述SiO₂层的厚度为30～200nm，所述Al层的厚度为100～500nm。

5.如权利要求1所述的用于背光显示的倒装LED芯片，其特征在于，所述发光结构包括依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层、透明导电层和第二反射层，所述第二反射层将有源层发出的光反射到衬底一侧出射，所述发光结构还包括第一电极和第二电极，所述第一电极与第一半导体层导电连接，所述第二电极与第二半导体层导电连接。

6.如权利要求1所述的用于背光显示的倒装LED芯片，其特征在于，所述第一反射层由SiO₂、Si₃N₄、Al₂O₃、TiO₂和Ta₂O₃中的两种或两种以上材料制成。

7.如权利要求1所述的用于背光显示的倒装LED芯片，其特征在于，还包括绝缘层，所述绝缘层设置在发光结构的表面并延伸到第一反射层上。

8.一种用于背光显示的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底正面的发光区上形成发光结构；

在衬底正面的反射区上形成第一反射层；

在衬底背面的散射区上形成散射层，所述散射层包括SiO₂层和Al层，所述SiO₂层设置在衬底和Al层之间；

发光结构向衬底一侧发出的光经过散射层进行散射和反射，经过散射层反射后的光被第一反射层反射到衬底的出光区出射，以提高芯片的出光角度。

9.如权利要求8所述的用于背光显示的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，在衬底背面使用黃光微影技术开图后，再采用蒸镀或磁控溅射的方法在衬底背面的散射区上形成一层厚度为30～200nm的SiO₂层，然后在SiO₂层上形成一层厚度为100～500nm的Al层。

10.如权利要求8所述的用于背光显示的倒装LED芯片的制作方法，其特征在于，所述散射层位于发光结构的正上方，所述散射层与衬底的接触面积为a，所述发光结构与衬底的接触面积为b，a＝(0.8～1.1)*b；

所述发光结构位于衬底正面的几何中心上，所述发光结构与衬底边缘的距离为d，所述衬底的厚度为h，d＝(0.7～1.2)*h。