[发明专利]基于交错拼接应用的CMOS成像系统有效
申请号: | 201911126411.4 | 申请日: | 2019-11-18 |
公开(公告)号: | CN110855864B | 公开(公告)日: | 2021-04-20 |
发明(设计)人: | 余达;刘金国;韩诚山;薛旭成;姜肖楠;张艳鹏;许亮 | 申请(专利权)人: | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
主分类号: | H04N5/225 | 分类号: | H04N5/225;H04N5/232;H04N5/374 |
代理公司: | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人: | 朱红玲 |
地址: | 130033 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 交错 拼接 应用 cmos 成像 系统 | ||
基于交错拼接应用的CMOS成像系统,涉及CMOS成像技术领域,解决现有大幅宽的成像中,采用探测器拼接实现,导致焦面线路板长度方向受限,并且由于探测器中间没有位置摆放滤波电容,进而导致滤波电容距离管脚过远的问题,包括相机控制器和n个成像组;每个成像组均包括422通信控制模块、时序驱动控制模块、数据整合及发送模块、数传接口和成像焦面组;成像组内包含数传接口模块,成像焦平面模块,数据整合及发送模块,时序驱动模块和422通信控制模块;本发明的成像系统保证大幅面的CMOS成像稳定可靠;减小成像线路板的器件占用空间,提高滤波效果,从而提高成像性能。增加探测器的有效散热面积,减小温度变化,从而提高暗电流等成像参数的稳定性。
技术领域
本发明涉及CMOS成像技术领域,具体涉及一种航天应用的交错拼接应用的CMOS成像系统。
背景技术
在大幅宽的成像应用中,由于单片探测器的分辨率有限,通常采用交错拼接的方式来增加幅宽,两排探测器首尾相接。对于分辨率较小的探测器,为了避免在侧摆成像过程中各片探测器的图像拼接漏缝,通常要求上下两排的探测器重叠一定数量的像元,导致焦面线路板长度方向受限,长度接近或者稍长于探测器。对于CMOS探测器应用,由于多种功能集成在单个芯片内,若探测器中间没有位置摆放滤波电容,对于探测器前后两侧中部的电源和偏置管脚,就存在滤波电容距离管脚过远的问题。
发明内容
本发明为解决现有大幅宽的成像中,采用探测器拼接实现,导致焦面线路板长度方向受限,并且由于探测器中间没有位置摆放滤波电容,进而导致滤波电容距离管脚过远的问题,提供一种基于交错拼接应用的CMOS成像系统。
基于交错拼接应用的CMOS成像系统,包括相机控制器和n个成像组;每个成像组均包括422通信控制模块、时序驱动控制模块、数据整合及发送模块、数传接口模块和成像焦平面模块;422通信控制模块接收相机控制器发送命令,并返回相应的信息;时序驱动控制模块产生满足电压和电流要求的时序和驱动信号;数据整合及发送模块将多通道的串行数据调理后,输出满足数传接口协议的数据;数传接口模块输出数传接口协议规定的信号;成像焦平面模块用于进行光电转换,同时产生探测器所需的电压和偏置信号;
所述CMOS成像系统的地面覆盖宽度SW与单片CMOS探测器的有效像元数nvalid_pix的关系为:
SW=[nvalid_pix×nchip-noverlap_pix×(nchip-1)]×GSD
式中,nchip为CMOS探测器的总片数,noverlap_pix为CMOS探测器的片间搭接像元数,nvalid_pix为单片CMOS探测器的有效像元数,GSD为地面像元分辨率;
CMOS探测器焦面板的长度fcontrol=2(nvalid_pix-noverlap_pix)×apix-lboard_gap;
式中,apix为CMOS探测器的像元尺寸,lboard_gap为CMOS探测器焦面板之间的间隙。
本发明的有益效果:本发明所述的基于交错拼接应用的CMOS成像系统,保证大幅面的CMOS成像稳定可靠;具体优点为:
1、减小成像线路板的器件占用空间,提高滤波效果,从而提高成像性能。
2、增加探测器的有效散热面积,减小温度变化,从而提高暗电流等成像参数的稳定性。
附图说明
图1为本发明所述的基于交错拼接应用的CMOS成像系统的结构框图;
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