[发明专利]一种多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法在审

专利信息
申请号: 201911126498.5 申请日: 2019-11-18
公开(公告)号: CN112813389A 公开(公告)日: 2021-05-18
发明(设计)人: 刘辉婵;刘召飞 申请(专利权)人: 河北召飞科技服务有限公司
主分类号: C23C14/32 分类号: C23C14/32;C23C14/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 050000 河北省石家*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 离子 镀膜 过程 减少 大液滴 方法
【权利要求书】:

1.一种多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法,包括超声波清洗,其特征在于:所述把被镀工件放入超声波清洗池中超洗去油去污渍,所述工件放入烘干机中烘干去除水分,所述工件放入多弧离子镀膜机中离子清洗,所述工件放入检测中心,所述工件由油污检测模块和湿度检测模块进行检测,且将检测结果发送至第一传感器和第二传感器,所述第一传感器和第二传感器将检测信息发送至显示屏。

2.根据权利要求1所述的一种多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法,其特征在于:

该多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法包括如下几个步骤:

S1、抽真空到5.0E-3Pa,加热温度500℃。

S2、充入氩气800~1000SCCM。

S3、关闭弧源挡板,设定弧源电流为150A,启动弧源。

S4、启动辅助阳极电源。

S5、开启转架偏压电源,偏压600~800V,占空比20~30%,偏流20~40A。

S6、轰击钝化时间3~5分钟。

3.所述根据权利要求1所述的一种多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法,其特征在于:

该多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方工件离子清洗完成,进行工件涂层工艺:

所述充入的氮气为800SCCM,所述充入的氩气为300SCCM,且开20秒关60秒,所述偏压为150V,所述偏压占空比40%,所述偏流40A-60A,所述弧组为四组,且每组均为150A。

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