[发明专利]一种多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法

说明书

本发明公开了一种多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法，涉及多弧离子镀技术领域，包括超声波清洗，其特征在于：所述把被镀工件放入超声波清洗池中超洗去油去污渍，所述工件放入烘干机中烘干去除水分，所述工件放入多弧离子镀膜机中离子清洗，所述工件放入检测中心，所述工件由油污检测模块和湿度检测模块进行检测。该多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法，能够通过将被镀工件放入超声波清洗池中超洗去油去污渍，再将工件工件放入烘干机中烘干去除水分，最后将工件放入多弧离子镀膜机中离子清洗，镀层时需要充入的氮气为800SCCM，充入的氩气为300SCCM，且开20秒关60秒，所述偏压为150V，偏压占空比40％，偏流40A‑60A，使用四组150A弧组。

技术领域

本发明涉及多弧离子镀技术领域，具体为一种多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法。

背景技术

多弧离子镀技术利用弧光放电产生高度离化并且能量较高的等离子体，多弧离子镀技术沉积速率高，膜层结合力好，广泛应用于工业领域中，但是在电弧离子镀过程中，由于弧斑的电流密度非常高，在局部等离子体压力的作用下，引起靶材表面熔融的金属液态颗粒喷溅，附着在薄膜表面或镶嵌在薄膜中，形成一种大液滴缺陷，引起薄膜表面粗糙和性能下降，通常多弧离子镀膜过程中，人们经常采用小弧流的办法减少涂层中液滴的产生，或者采用增大靶基距 (200-500mm)的办法来减少涂层中的液滴，但这些办法都降低了涂层的结合力性能，同时降低了镀膜沉积速率，降低了镀膜效率。

发明内容

本发明的目的就是为了弥补现有技术的不足，提供了一种多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法，它具有减少涂层中液产生的优点，解决了现有弧斑的电流密度非常高，在局部等离子体压力的作用下，引起靶材表面熔融的金属液态颗粒喷溅，附着在薄膜表面或镶嵌在薄膜中，形成一种大液滴缺陷的问题。

本发明为解决上述技术问题，提供如下技术方案：一种多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法，包括超声波清洗，其特征在于：所述把被镀工件放入超声波清洗池中超洗去油去污渍，所述工件放入烘干机中烘干去除水分，所述工件放入多弧离子镀膜机中离子清洗，所述工件放入检测中心，所述工件由油污检测模块和湿度检测模块进行检测，且将检测结果发送至第一传感器和第二传感器，所述第一传感器和第二传感器将检测信息发送至显示屏。

该多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法包括如下几个步骤：

S1、抽真空到5.0E-3Pa，加热温度500℃。

S2、充入氩气800～1000SCCM。

S3、关闭弧源挡板，设定弧源电流为150A，启动弧源。

S4、启动辅助阳极电源。

S5、开启转架偏压电源，偏压600～800V,占空比20～30％，偏流20～40A。

S6、轰击钝化时间3～5分钟。

该多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方工件离子清洗完成，进行工件涂层工艺：

所述充入的氮气为800SCCM，所述充入的氩气为300SCCM，且开20秒关60 秒，所述偏压为150V，所述偏压占空比40％，所述偏流40A-60A，所述弧组为四组，且每组均为150A。

与现有技术相比，该多弧离子镀膜过程中减少大液滴的方法具备如下有益效果：

一、本发明通过将被镀工件放入超声波清洗池中超洗去油去污渍，再将工件工件放入烘干机中烘干去除水分，最后将工件放入多弧离子镀膜机中离子清洗，镀层时需要充入的氮气为800SCCM，充入的氩气为300SCCM，且开20秒关 60秒，所述偏压为150V，偏压占空比40％，偏流40A-60A，使用四组150A弧组。

附图说明