[发明专利]封装及其制造方法

权利要求书

1.一种封装，包括：

第一管芯，具有第一接合结构，其中所述第一接合结构包括第一介电层及嵌置在所述第一介电层中的第一连接件；

第二管芯，具有第二接合结构，其中所述第二接合结构包括第二介电层及嵌置在所述第二介电层中的第二连接件，所述第一介电层与所述第二介电层混合接合，且所述第一连接件与所述第二连接件混合接合；

包封体，侧向包封所述第二管芯；以及

绝缘层穿孔，穿透所述包封体，其中所述绝缘层穿孔与所述第一接合结构连接。

2.根据权利要求1所述的封装，其中所述第二管芯还包括穿透所述第二管芯的至少一部分的半导体穿孔。

3.根据权利要求2所述的封装，还包括：

球下金属图案，设置在所述包封体上，其中所述球下金属图案与所述绝缘层穿孔及所述半导体穿孔连接；以及

导电端子，设置在所述球下金属图案上。

4.根据权利要求3所述的封装，其中所述半导体穿孔中的至少一者与所述绝缘层穿孔中的至少一者连接到同一球下金属图案。

5.根据权利要求3所述的封装，其中所述半导体穿孔中的多个半导体穿孔连接到同一球下金属图案。

6.一种封装，包括：

第一管芯，包括：

第一接垫；

第一连接件，位于所述第一接垫上；以及

第一介电层，包封所述第一接垫及所述第一连接件；

第二管芯，包括：

第二接垫；

第二连接件，位于所述第二接垫上，其中所述第二连接件与所述第一连接件直接接触；以及

第二介电层，包封所述第二接垫及所述第二连接件，其中所述第二介电层与所述第一介电层直接接触；以及

包封体，侧向包封所述第二管芯，其中所述包封体与所述第一介电层直接接触。

7.根据权利要求6所述的封装，其中所述第一管芯还包括：

第一半导体衬底；

第一内连结构，夹置在所述第一接垫与所述第一半导体衬底之间；以及

辅助连接件，嵌置在所述第一介电层中，其中所述辅助连接件与所述第一内连结构电连接。

8.根据权利要求7所述的封装，还包括穿透所述包封体的绝缘层穿孔，其中所述绝缘层穿孔与所述辅助连接件直接接触。

9.根据权利要求8所述的封装，其中所述辅助连接件中的多个辅助连接件直接接触同一绝缘层穿孔。

10.一种封装的制造方法，包括：

提供上面形成有第一接合结构的半导体晶片；

将半导体管芯接合到所述半导体晶片，其中所述半导体管芯中的每一半导体管芯具有形成在其上的第二接合结构以及形成在其中的半导体穿孔，且所述第一接合结构与所述第二接合结构接合；

形成绝缘层穿孔以环绕所述半导体管芯；

使用第一包封体包封所述半导体管芯及所述绝缘层穿孔；

移除所述半导体管芯中的每一半导体管芯的一部分，以形成凹槽；

将第二包封体填充到所述凹槽中；以及

在所述第一包封体及所述第二包封体上形成球下金属图案及导电端子，其中所述球下金属图案与所述绝缘层穿孔及所述半导体穿孔连接。