[发明专利]封装及其制造方法

说明书

封装包括第一管芯、第二管芯、包封体、以及绝缘层穿孔。第一管芯具有第一接合结构。第一接合结构包括第一介电层及嵌置在第一介电层中的第一连接件。第二管芯具有第二接合结构。第二接合结构包括第二介电层及嵌置在第二介电层中的第二连接件。第一介电层与第二介电层混合接合。第一连接件与第二连接件混合接合。包封体侧向包封第二管芯。绝缘层穿孔穿透包封体且与第一接合结构连接。

技术领域

本发明实施例涉及一种封装及其制造方法。更具体来说，本发明实施例涉及一种具有混合接合结构的封装及其制造方法。

背景技术

各种电子装置(例如，手机及其他移动电子设备)中所使用的半导体器件及集成电路通常是在单个半导体晶片(semiconductor wafer)上制造的。晶片的管芯可以在晶片级(wafer level)来与其他半导体器件或管芯一起进行处理及封装，且已针对晶片级封装(wafer level packaging)开发了各种技术及应用。将多个半导体器件的集成已成为此领域中的挑战。

发明内容

一种封装包括第一管芯、第二管芯、包封体、以及绝缘层穿孔(TIV)。所述第一管芯具有第一接合结构。所述第一接合结构包括第一介电层及嵌置在所述第一介电层中的第一连接件。所述第二管芯具有第二接合结构。所述第二接合结构包括第二介电层及嵌置在所述第二介电层中的第二连接件。所述第一介电层与所述第二介电层混合接合。所述第一连接件与所述第二连接件混合接合。所述包封体侧向包封所述第二管芯。所述绝缘层穿孔穿透所述包封体且与所述第一接合结构连接。

一种封装包括第一管芯、第二管芯以及包封体。所述第一管芯包括第一接垫、第一连接件以及第一介电层。所述第一连接件位于所述第一接垫上。所述第一介电层包封所述第一接垫及所述第一连接件。所述第二管芯包括第二接垫、第二连接件以及第二介电层。所述第二连接件位于所述第二接垫上且与所述第一连接件直接接触。所述第二介电层包封所述第二接垫及所述第二连接件。所述第二介电层与所述第一介电层直接接触。所述包封体侧向包封所述第二管芯。所述包封体与所述第一介电层直接接触。

一种封装的制造方法包括至少以下步骤。提供上面形成有第一接合结构的半导体晶片。将半导体管芯接合到所述半导体晶片。所述半导体管芯中的每一半导体管芯具有形成在其上的第二接合结构以及形成在其中的半导体穿孔(TSV)。所述第一接合结构与所述第二接合结构接合。形成绝缘层穿孔(TIV)以环绕所述半导体管芯。使用第一包封体包封所述半导体管芯及所述绝缘层穿孔。移除所述半导体管芯中的每一半导体管芯的一部分，以形成凹槽。将第二包封体填充到所述凹槽中。在所述第一包封体及所述第二包封体上形成球下金属图案及导电端子。所述球下金属图案与所述绝缘层穿孔及所述半导体穿孔连接。

附图说明

结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本公开的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为使论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。

图1A到图1K是根据本公开的一些实施例的封装的制造工艺的示意性剖视图。

图2是根据本公开的一些替代性实施例的封装的示意性剖视图。

图3是根据本公开的一些替代性实施例的封装的示意性剖视图。

图4是根据本公开的一些替代性实施例的封装的示意性剖视图。

附图标号说明

10、20、30、40：封装

100、200：半导体管芯

110：半导体衬底

120：第一内连结构

122：第一介电间层

124：第一图案化导电层

126：第一导通孔