[发明专利]有机EL显示装置在审
申请号: | 201911126678.3 | 申请日: | 2015-01-07 |
公开(公告)号: | CN110867469A | 公开(公告)日: | 2020-03-06 |
发明(设计)人: | 钟之江有宣 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L29/786;H01L51/00;H01L51/52;H01L21/34 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 万利军;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 el 显示装置 | ||
1.一种有机EL显示装置,具备:
基板;
氧化物半导体层,其设置在所述基板上的一部分上,沿着所述基板表面具有沟道区域和夹着所述沟道区域的一对接触区域;
栅电极,其隔着栅极绝缘层设置在所述沟道区域上;
源电极,其与所述一对接触区域的一方接合;
漏电极,其与所述一对接触区域的另一方接合;
第1水分阻隔层,其被设置为覆盖所述栅极绝缘层并与所述栅电极接触,并且被设置为覆盖下述区域,所述区域是所述氧化物半导体层的所述一对接触区域上的、除了所述接触区域与所述源电极的接合部分以及所述接触区域与所述漏电极的接合部分之外的区域、和所述基板上的没有设置所述氧化物半导体层的区域;和
有机EL显示层,其形成于所述基板上,至少具有阳极、发光层、和阴极,
所述第1水分阻隔层,包含金属氧化物,并且采用原子层沉积法形成,采用所述原子层沉积法形成的第1水分阻隔层与所述一对接触区域接触,
所述基板具有以树脂材料为主成分的树脂基板、和形成于所述树脂基板上的第2水分阻隔层,
所述第2水分阻隔层与所述氧化物半导体层以及所述第1水分阻隔层接触,
所述阴极位于所述第1水分阻隔层和所述第2水分阻隔层接触的区域的外周的内侧。
2.根据权利要求1所述的有机EL显示装置,
所述第2水分阻隔层是采用化学气相沉积法或原子层沉积法形成的。
3.根据权利要求1所述的有机EL显示装置,
所述第1水分阻隔层和所述第2水分阻隔层的构成中的氧化物不同。
4.根据权利要求3所述的有机EL显示装置,
所述第1水分阻隔层具有铝(Al)的氧化物。
5.根据权利要求3所述的有机EL显示装置,
所述第2水分阻隔层具有锆(Zr)的氧化物。
6.根据权利要求1所述的有机EL显示装置,
所述有机EL显示层还具有电子注入层,
所述电子注入层位于所述第1水分阻隔层和所述第2水分阻隔层接触的区域的外周的内侧。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社,未经松下电器产业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911126678.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的