[发明专利]有机EL显示装置

说明书

提供一种使用氧化物半导体的顶部栅极结构的有机EL显示装置，有机EL显示装置在实现接触区域的低电阻化的同时，进一步提高了对水分的阻隔性。有机EL显示装置的TFT基板(1)具备第1水分阻隔层(6)，所述第1水分阻隔层(6)被设置为覆盖栅极绝缘层(4)以及栅电极(5)，并且，被设置为覆盖氧化物半导体层(3)的接触区域(3_a1、3_a2)上的、除了接触区域(3_a1)与源电极(8)的接合部分、以及接触区域(3a₂)与漏电极(9)的接合部分之外的区域、和基板(2)上的不存在氧化物半导体层(3)的区域。第1水分阻隔层(6)包含金属氧化物，采用原子层沉积法形成。

本申请是申请号为201510007493.6、申请日为2015年1月7日、发明名称为“薄膜晶体管元件基板及其制造方法、和有机EL显示装置”的申请的分案申请。

技术领域

本申请涉及有机EL显示装置。

背景技术

近年来，在沟道层(channel layer)中使用In-Ga-Zn-O所代表的氧化物半导体的薄膜晶体管元件基板的研究开发正在盛行。以下，薄膜晶体管元件基板有时被称作TFT基板。使用氧化物半导体的TFT基板的结构一般是与以往的使用非晶硅的TFT基板相同的底部栅极结构。但是，降低栅电极与源电极以及漏电极的寄生电容的更高性能的顶部栅极结构的TFT基板的研究开发也正在盛行(专利文献1以及2)。

使用图8对专利文献2所记载的TFT基板进行说明。专利文献2所记载的TFT基板901是顶部栅极结构的TFT基板。TFT基板901具有形成于玻璃基板902上的氧化物半导体层903、形成于氧化物半导体层903的中央的沟道区域903b上的栅极绝缘层904和栅电极905。TFT基板901还具有氧化铝层906、层间绝缘层907、源电极908、和漏电极909。源电极908在接触孔CH1中与氧化物半导体层903的接触区域903_a1接合。漏电极909在接触孔CH2中与氧化物半导体层903的接触区域903_a2接合。

夹着氧化物半导体层903的中央的沟道区域903b的接触区域903_a1以及903_a2需要比沟道区域903b低电阻化。在此，首先，使用溅射法在氧化物半导体层903、栅极绝缘层904、栅电极905之上形成铝层。然后，对铝层实施热处理而使铝层改性为氧化铝层906。此时，在接触区域903_a1以及903_a2中掺杂有铝，接触区域903_a1以及903_a2比沟道区域903b低电阻化。这样，TFT基板901具有以比较简单的结构实现了低电阻化的接触区域。另外，该氧化铝层906也具有对水分的阻隔性。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-278115号公报

专利文献2：日本特开2011-228622号公报

发明内容

然而，专利文献2所记载的TFT基板901，水分阻隔性并不充分，希望进一步提高水分阻隔性。

因此，本申请提供使用氧化物半导体的顶部栅极结构的TFT基板，该TFT基板在实现接触区域的低电阻化的同时，进一步提高了对水分的阻隔性。