[发明专利]一种扩散前处理方法在审
| 申请号： | 201911130584.3 | 申请日： | 2019-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN111009457A | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 潘国刚;陈晓静 | 申请（专利权）人： | 江苏英锐半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 224000 江苏省盐城市盐城经*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 扩散 处理 方法 | ||
1.一种扩散前处理方法，其特征在于，其步骤包括
(1)将晶圆片放入SC-1药液中清洗；
(2)将晶圆片放入氢氟酸溶液中清洗；
(3)将晶圆片放入硝酸溶液中清洗；
(4)将晶圆片放置在80-100℃温度下烘干8-12分钟；
(5)将晶圆片放置在180-200℃温度下烘干8-12分钟；
(6)将晶圆片取出冷却。
2.根据权利要求1所述的一种扩散前处理方法，其特征在于，所述SC-1药液为浓度为27％的氨水、浓度为30％的双氧水和纯水按照体积比1:1.5:5的比例配置的混合溶液；
3.根据权利要求2所述的一种扩散前处理方法，其特征在于，晶圆片在SC-1药液中的清洗时间为8-12分钟。
4.根据权利要求3所述的一种扩散前处理方法，其特征在于，氢氟酸溶液的浓度为15％的。
5.根据权利要求4所述的一种扩散前处理方法，其特征在于，晶圆片在氢氟酸溶液中的清洗时间为5-240秒。
6.根据权利要求5所述的一种扩散前处理方法，其特征在于，所述硝酸溶液的浓度为30％。
7.根据权利要求6所述的一种扩散前处理方法，其特征在于，晶圆片在硝酸溶液中的清洗时间为8-12分钟。
8.根据权利要求7所述的一种扩散前处理方法，其特征在于，SC-1药液的温度为65-90℃，硝酸溶液的温度为50-90℃。
9.根据权利要求8所述的一种扩散前处理方法，其特征在于，每次药剂清洗后均用纯水冲洗8-12分钟。
10.根据权利要求9所述的一种扩散前处理方法，其特征在于，烘干的环境为洁净的高纯度氮气或惰性气体。
11.根据权利要求10所述的一种扩散前处理方法，其特征在于，冷却的环境为洁净的高纯度氮气或惰性气体。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
