[发明专利]一种扩散前处理方法

说明书

在半导体微电子器件的制造过程中，晶圆片的清洁的重要性已被充分认知，器件的性能、良率和微粒的沾污有很大关系。传统的晶圆扩散前处理方法，在晶圆片经过氢氟酸溶液后，表面氧化层被漂净，表面呈疏水性，如果暴露在空气中，很快将从周围环境中重新吸附颗粒和有机沾污。本发明提供了一种扩散前处理方法，通过氨水和双氧水去除晶圆片表面的金属颗粒和有机沾污。然后通过氢氟酸漂去晶圆片表面的原始氧化膜；再利用硝酸的氧化性，在漂净氧化层的晶圆片表面重新形成一层氧化层，起到表面钝化的作用，避免后续空气环境的沾污及晶圆表面的水迹产生；同时高纯氮气或惰性气体保护的干燥槽可以避免甩干带来的颗粒沾污。

技术领域

本发明涉及一种晶圆片清洗技术领域，特别涉及一种晶圆片扩散前处理的方法。

背景技术

在半导体微电子器件的制造过程中，晶圆片的清洁的重要性已被充分认知，器件的性能、良率和微粒的沾污有很大关系。传统的晶圆片扩散前的处理方法，在晶圆片经过氢氟酸溶液后，表面氧化层被漂净，表面呈疏水性，如果暴露在空气中，很快将从周围环境中重新吸附颗粒和有机沾污。

发明内容

如何避免清洗后晶圆片重新从环境中吸附颗粒和有机沾污，是本发明着重解决的技术问题。

本发明通过硝酸的氧化性，在漂净氧化层的晶圆片表面重新形成一层氧化层，避免裸硅接触空气环境带来的颗粒和有机物的吸附沾污。同时，经过硝酸处理后晶圆表面呈亲水性，表面不会产生疏水性的水滴，对后续干燥过程中避免水迹产生也有利。

1.本发明提供了一种扩散前处理方法，其步骤包括

（1）将晶圆片放入SC-1药液中清洗；

（2）将晶圆片放入氢氟酸溶液中清洗；

（3）将晶圆片放入硝酸溶液中清洗；

（4）将晶圆片放置在80-100℃温度下烘干8-12分钟；

（5）将晶圆片放置在180-200℃温度下烘干8-12分钟；

（6）将晶圆片取出冷却。

作为本发明的一种扩散前处理方法的一种优选的方案，所述SC-1药液为浓度为27%的氨水、浓度为30%的双氧水和纯水按照体积比1:1.5:5的比例配置的混合溶液；

作为本发明的一种扩散前处理方法的一种优选的方案，所述晶圆片在SC-1药液中的清洗时间为8-12钟。

作为本发明的一种扩散前处理方法的一种优选的方案，所述氢氟酸溶液的浓度为15%的。

作为本发明的一种扩散前处理方法的一种优选的方案，所述晶圆片在氢氟酸溶液中的清洗时间为5-240秒。

作为本发明的一种扩散前处理方法的一种优选的方案，所述硝酸溶液的浓度为30%。

作为本发明的一种扩散前处理方法的一种优选的方案，所述晶圆片在硝酸溶液中的清洗时间为8-12分钟。

作为本发明的一种扩散前处理方法的一种优选的方案，所述SC-1药液的温度为65-90℃，硝酸溶液的温度为50-90℃。

作为本发明的一种扩散前处理方法的一种优选的方案，每次药剂清洗后均用纯水冲洗8-12分钟。

作为本发明的一种扩散前处理方法的一种优选的方案，烘干的环境为高纯度氮气或惰性气体。

作为本发明的一种扩散前处理方法的一种优选的方案，冷却的环境为洁净的高纯度氮气或惰性气体。

本发明所述的浓度均是指质量分数。