[发明专利]一种基于BOX封装的超高频射频光电探测器在审
申请号: | 201911130790.4 | 申请日: | 2019-11-18 |
公开(公告)号: | CN110854210A | 公开(公告)日: | 2020-02-28 |
发明(设计)人: | 左朋莎;任欢;张江帆;许利伟;宋春峰 | 申请(专利权)人: | 中航光电科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/0232;G02B6/42 |
代理公司: | 中国航空专利中心 11008 | 代理人: | 杜永保 |
地址: | 471023 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 box 封装 超高频 射频 光电 探测器 | ||
一种涉及射频微波光解调技术领域的基于BOX封装的超高频射频光电探测器,其特征是:包含BOX封装管壳、垫片、射频电路和耦合光纤;所述BOX封装管壳为密封腔体结构,BOX封装管壳的一端设有密封贯穿BOX封装管壳侧壁的陶瓷件插头,该陶瓷件插头件身对应BOX封装管壳的内外侧均设有多个一一对应连通的金手指,且所述金手指对应陶瓷件插头件身与BOX封装管壳连接的位置埋于陶瓷件插头内;所述BOX封装管壳内壳底设有垫片,该垫片的顶部面铺设有用于将光信号转换为电信号的射频电路,所述金手指位于BOX封装管壳内的一端与射频电路通过键合金丝对应电气连接;本发明有效解决了现有探测器体积较大、效率低以及可靠性差的问题。
技术领域
本发明涉及射频微波光解调技术领域,尤其是涉及一种基于BOX封装的超高频射频光电探测器。
背景技术
公知的,射频光电探测器是指将光调制信号中的射频信号解调出来,从而实现光信号转换为射频信号的功能;射频光电探测器凭借频率、带宽和抗干扰等优势,克服了传统射频系统的瓶颈,被越来越多地应用于在军品领域,包括电子对抗、雷达通信、卫星遥感、深空探测、精密测量等,其中电子对抗领域发展和需求最为显著,随着新技术平台研制要求的提出,对带宽、插损、小型化和集成化都有了更高的要求,而现有的射频光电探测器已不能完全满足未来市场需求,主要存在如下问题和缺陷:1.尺寸大、集成化低:现有射频光电探测器多采用蝶形封装形式,尺寸较大17.78mm×12.70mm×8.1mm,且需要用射频同轴线或连接器实现射频信号的连接,集成度低;2.工作频率低,转换效率低:射频光电探测器的工作频率不超过18GHz,且转换效率只有0.7A/W;3.可靠性差:耦合方式及封装技术问题,使得产品环境适应性差,不满足机载使用条件;此种现象亟待解决。
发明内容
为了克服背景技术中的不足,本发明公开了一种基于BOX封装的超高频射频光电探测器。
为实现上述发明目的,本发明采用如下技术方案:
一种基于BOX封装的超高频射频光电探测器,包含BOX封装管壳、垫片、射频电路和耦合光纤;所述BOX封装管壳为密封腔体结构,BOX封装管壳的一端设有密封贯穿BOX封装管壳侧壁的陶瓷件插头,该陶瓷件插头件身对应BOX封装管壳的内外侧均设有多个一一对应连通的金手指,且所述金手指对应陶瓷件插头件身与BOX封装管壳连接的位置埋于陶瓷件插头内;所述BOX封装管壳内壳底设有垫片,该垫片的顶部面铺设有用于将光信号转换为电信号的射频电路,该射频电路与位于BOX封装管壳内的金手指通过键合金丝对应电气连接,所述BOX封装管壳远离陶瓷件插头的一端设有密封贯穿的耦合光纤,该耦合光纤对应位于BOX封装管壳内的一端与射频电路的PIN光电二极管对应光信号传输连接,且所述耦合光纤为斜面光纤,斜面角度为38~42°。
优选的,位于BOX封装管壳内的金手指与射频电路位于同一平面。
优选的,所述射频电路设置有偏置电路和阻抗匹配电路,并以99氧化铝基板为载体。
优选的,所述偏置电路集成有宽带电感和电容。
优选的,所述耦合光纤为通过光纤镍管包裹的金属化斜面光纤。
优选的,所述耦合光纤的斜面角度为42°。
优选的,所述耦合光纤的斜面镀有用于减小光能损耗的反射膜。
优选的,所述BOX封装管壳为金属壳体。
由于采用如上所述的技术方案,本发明具有如下有益效果:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的