[发明专利]发光二极管、显示面板、显示装置及制备方法在审
申请号: | 201911132961.7 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN112909136A | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
发明(设计)人: | 李庆;王程功;郭恩卿 | 申请(专利权)人: | 成都辰显光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/38;H01L33/40;H01L33/32;H01L33/00 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 娜拉 |
地址: | 611731 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 发光二极管 显示 面板 显示装置 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管,其特征在于,包括:
外延层,包括依次层叠设置的第一半导体层、发光层及第二半导体层,所述第二半导体层包括靠近所述发光层的镓极性面;
通道,位于所述外延层内,所述通道贯穿所述第一半导体层和所述发光层,所述通道延伸至所述镓极性面;
第一电极层,位于所述第一半导体层背向所述发光层的一侧且填充所述通道,与所述通道内的所述镓极性面形成欧姆接触,且与所述第一半导体层及所述发光层绝缘设置;
第二电极层,包围所述外延层,通过欧姆接触层与所述第一半导体层形成欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述欧姆接触层包括:
第一导电膜层,位于所述第一半导体层背向所述发光层的一侧;
第一反射层,位于所述第一导电膜层背向所述第一半导体层的一侧;
其中,所述第二电极层位于所述第一导电膜层上。
3.根据权利要求2所述的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管还包括:
第一保护层,位于所述欧姆接触层的外周侧且与所述欧姆接触层同层设置;
第二保护层,在所述第一保护层和所述第一反射层背向所述第一半导体层的一侧及所述通道的侧壁上连续地延伸,所述第一电极层通过所述第二保护层与所述第一半导体层及所述发光层绝缘。
4.根据权利要求1所述的发光二极管,其特征在于,所述第一半导体层及所述发光层整体上为倒梯形结构,所述欧姆接触层包括:
第二导电膜层,位于所述第一半导体层背向所述发光层的一侧;第二反射层,绝缘的包围所述第一半导体层及所述发光层的侧壁,且所述第二反射层靠近所述通道的区域与所述第二导电膜层接触;
其中,所述第二电极层位于所述第二反射层上远离所述通道的区域,所述第二电极层通过所述第二反射层及所述第二导电膜层与所述第一半导体层欧姆接触。
5.根据权利要求4所述的发光二极管,其特征在于,所述发光二极管还包括:
第三保护层,位于所述第二反射层与所述第一半导体层及所述发光层之间,且所述第三保护层与所述第二导电膜层接触;
第四保护层,在所述第二反射层背向所述外延层的一侧及所述通道的侧壁上连续地延伸;其中,所述第一电极层通过所述第四保护层与所述第一半导体层及所述发光层绝缘;
平坦化层,位于所述第四保护层与所述第一电极层之间,所述平坦化层背向所述第四保护层的表面与靠近所述通道的第四保护层背向所述第一半导体层的表面位于同一平面上。
6.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求1-5任一项所述的发光二极管。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求6所述的显示面板。
8.一种发光二极管的制备方法,其特征在于,包括:
依次层叠铺设第二半导体层、发光层及第一半导体层,以形成外延层;其中,所述第二半导体层包括靠近所述发光层的镓极性面;
在所述第一半导体层背向所述发光层的一侧对所述外延层进行蚀刻,蚀刻贯穿所述第一半导体层和所述发光层,得到通道,所述通道的底部为所述第二半导体层的镓极性面;
在所述第一半导体层背向所述发光层一侧及所述通道内形成第一电极层,所述第一电极层与所述通道内露出的所述第二半导体层的镓极性面形成欧姆接触,且使所述第一电极层与所述第一半导体层及所述发光层绝缘;
在所述外延层的外周侧形成第二电极层,并使所述第二电极层通过欧姆接触层与所述第一半导体层欧姆接触。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都辰显光电有限公司,未经成都辰显光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911132961.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种多尺寸适应的油茶果去壳机用压辊
- 下一篇:一种生产陶瓷用注浆防堆积装置