[发明专利]一种用于电子屏幕的自洁疏水膜层的制备方法有效
申请号: | 201911134545.0 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN110747449B | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 李杨;吴晓宏;洪杨;卢松涛;康红军;秦伟 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/455 |
代理公司: | 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 | 代理人: | 李恩庆 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 电子 屏幕 疏水 制备 方法 | ||
1.一种用于电子屏幕的自洁疏水膜层的制备方法,其特征在于:该方法的操作步骤为:
步骤1,对玻璃基底进行清洗;
步骤2,将清洗后的玻璃基底使用氮气吹干,然后放入原子层沉积仪的沉积腔体内,将沉积腔体内抽至5×10-3Torr,再通入载气至腔体压力为0.15Torr,沉积腔体内温度为150℃;然后在玻璃基底表面的进行膜层的原子层周期沉积生长,获得镀有金属氧化物膜层的玻璃;
所述的步骤2在玻璃基底表面的进行膜层的原子层周期沉积生长的具体操作过程为:1)向原子层沉积仪的沉积腔体内以脉冲形式注入钛源,脉冲时间t1为0.06s;2)打开进气阀、排气阀,利用氮气进行吹扫,吹扫时间t2为60s;3)向原子层沉积仪的沉积腔体内以脉冲形式注入水源,脉冲时间t3为0.02s;4)打开进气阀、排气阀,利用氮气进行吹扫,吹扫时间t4为40s;5)重复执行上述1)~4)生长周期100次;6)向原子层沉积仪的沉积腔体内以脉冲形式注入铝源,脉冲时间t6为0.02s;7)打开进气阀、排气阀,利用氮气进行吹扫,吹扫时间t7为30s;8)向原子层沉积仪的沉积腔体内以脉冲形式注入水源,脉冲时间t8为0.015s;9)打开进气阀、排气阀,利用氮气进行吹扫,吹扫时间t9为30s;10)重复执行上述6)~9)生长周期100次;11)重复执行上述1)~10)生长周期3次,获得镀有Al2O3和TiO2复合膜层的玻璃;
所述的钛源为四异丙醇钛,铝源为三甲基铝,水源为去离子水;
获得的Al2O3和TiO2复合膜层的微观形貌呈现纳米岛状、整体致密均匀且表面粗糙度较大,经计算其方均根粗糙度为5.73nm,接触角为132.5°。
2.根据权利要求1所述的一种用于电子屏幕的自洁疏水膜层的制备方法,其特征在于:所述的金属氧化物膜层厚度为50nm。
3.根据权利要求1所述的一种用于电子屏幕的自洁疏水膜层的制备方法,其特征在于:所述的步骤2中载气为质量分数为99.99%的氮气。
4.根据权利要求1所述的一种用于电子屏幕的自洁疏水膜层的制备方法,其特征在于:所述的玻璃基底尺寸为38×12mm的长方形。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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