[发明专利]封装的半导体器件及其封装方法

权利要求书

1.一种封装半导体器件的方法，所述方法包括：

图案化延伸穿过封装衬底的开口，其中，图案化所述开口包括：

在所述封装衬底的衬底核心内图案化具有第一宽度的第一区；

在邻接所述衬底核心的第一材料层内图案化连接至所述第一区的第二区，所述第二区具有不同于所述第一宽度的第二宽度；和

图案化位于所述第一区和所述第二区之间的中间区，所述中间区具有第三宽度，其中，所述第三宽度大于所述第二宽度且小于所述第一宽度；

将集成电路管芯连接至所述封装衬底的表面；以及

在所述集成电路管芯与所述封装衬底之间分配底部填充材料，其中，所述底部填充材料通过所述开口，从所述封装衬底的远离所述集成电路管芯的一侧分配。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，图案化所述开口还包括在所述第一材料层内图案化连接至所述第一区的第三区，所述第三区具有第四宽度，所述第三区与所述第二区物理隔离，其中，所述第四宽度小于所述第一宽度且不同于所述第二宽度和所述第三宽度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一区具有倾斜的侧壁。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一区包括槽区，所述第二区包括针孔区。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，图案化所述第一区包括限定所述槽区以延伸穿过第二材料层和所述衬底核心的部分，所述衬底核心位于所述第一材料和所述第二材料之间。

6.一种封装半导体器件的方法，包括

图案化穿过封装衬底的衬底核心和所述封装衬底的第一材料层的孔径，其中，图案化所述孔径包括：

限定延伸穿过所述衬底核心的槽区，所述槽区具有第一直径；

限定连接至所述槽区的第一针孔区域，所述第一针孔区域延伸穿过所述第一材料层且具有第二直径；和

限定位于所述槽区和所述第一针孔区域之间的中间区，所述中间区具有第三宽度，其中，所述第三宽度大于所述第二宽度且小于所述第一宽度；

将集成电路管芯接合至所述封装衬底，所述槽区和所述集成电路管芯布置在所述第一针孔区域的相对两侧上；以及

通过所述槽区、所述第一针孔区域和所述中间区在所述封装衬底和所述集成电路管芯之间分配底部填充剂。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，限定所述槽区包括限定所述槽区以进入所述衬底核心且延伸穿过第二材料层，其中，所述衬底核心介于所述第一材料层和所述第二材料层之间。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，图案化所述孔径还包括：限定连接至所述槽区的第二针孔区域，所述第二针孔区域具有第四直径且与所述第一针孔区域物理分离，所述第二针孔区域延伸穿过所述第一材料层，其中，所述第一直径大于所述第四直径。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二针孔区域还延伸穿过所述衬底核心的部分。

10.一种封装半导体器件，包括：衬底核心；

材料层，设置在所述衬底核心上方；

孔径，设置在所述衬底核心和所述材料层内，所述孔径包括：

第一区，延伸穿过所述衬底核心且具有被所述衬底核心的侧壁限定的第一宽度；

第二区，延伸穿过所述材料层且具有被所述材料层的侧壁限定的第二宽度，所述第一宽度大于所述第二宽度；和

中间区，设置在所述第一区和所述第二区之间且具有第三宽度，其中，所示第三宽度大于所述第二宽度且小于第一宽度；以及

底部填充材料，设置在所述孔径内。