[发明专利]发光封装结构及其制造方法

说明书

一种发光封装结构及其制造方法。发光封装结构包含可透光粘胶层、基板以及至少一发光二极管晶片。可透光粘胶层具有相对的第一表面及第二表面。基板位于可透光粘胶层的第一表面。发光二极管晶片位于可透光粘胶层的第二表面。可透光粘胶层于第二表面上具有第一部分及第二部分，第一部分围绕第二部分，第二部分于基板的垂直投影面积至少完全覆盖发光二极管晶片于基板的垂直投影面积，且第二部分的厚度小于或等于该第一部分的厚度。由于可透光粘胶层不会因发光二极管晶片的设置而产生明显的爬胶，且发光二极管晶片亦不易在设置过程中产生明显的位移，因此可提升发光封装结构的良率。

技术领域

本揭露是有关于一种发光封装结构及一种发光封装结构的制造方法。

背景技术

由于发光二极管(light-emitting diode,LED)具有寿命长、功耗低以及驱动简单等优点，因此广泛应用于照明、背光、发光二极管显示器等。一般来说，发光二极管显示器常采用红、绿、蓝发光二极管晶片做为像素，而像素经排列后可形成全彩的发光二极管显示器。

然而，此种发光二极管显示器常面临发光不均匀、电控不易、尺寸无法缩减以及制作成本高等问题。因此，如何有效解决上述问题是目前亟需解决的课题。

发明内容

本揭露的一技术态样为一种发光封装结构。

根据本揭露一实施方式，发光封装结构包含可透光粘胶层、基板以及至少一发光二极管晶片。可透光粘胶层具有相对的第一表面及第二表面。基板位于可透光粘胶层的第一表面。发光二极管晶片位于可透光粘胶层的第二表面。可透光粘胶层于第二表面上具有第一部分及第二部分，第一部分围绕第二部分，第二部分于基板的垂直投影面积至少完全覆盖发光二极管晶片于基板的垂直投影面积，且第二部分的厚度小于或等于该第一部分的厚度。

在本揭露一实施方式中，第一部分的第二表面与第二部分的第二表面之间具有倾斜面，倾斜面由第二部分的第二表面逐渐远离发光二极管晶片以延伸至第一部分的第二表面。

在本揭露一实施方式中，第一部分的可透光粘胶层爬胶的高度小于发光二极管晶片的高度的20％。

在本揭露一实施方式中，发光二极管晶片的数量为多个。

在本揭露一实施方式中，发光二极管晶片包含红光发光二极管晶片、绿光发光二极管晶片或蓝光发光二极管晶片。

在本揭露一实施方式中，发光封装结构还包含多个填充粒子，位于可透光粘胶层中。填充粒子用以调整由发光二极管晶片所发出的光线的路径。

在本揭露一实施方式中，发光二极管晶片发出蓝光，且发光封装结构还包含波长转换物质，位于可透光粘胶层中。波长转换物质吸收部分蓝光而转换为对应波长的色光。

在本揭露一实施方式中，基板为可透光基板。

在本揭露一实施方式中，发光封装结构还包含封装层，位于可透光粘胶层的第二表面，且包覆发光二极管晶片。

本揭露的另一技术态样为一种发光封装结构的制造方法。

根据本揭露一实施方式，发光封装结构的制造方法包含：形成可透光粘胶材料于载板上；加热可透光粘胶材料，其中可透光粘胶材料的最大流变耗损因子(tanδ)_max的值在0.5至2.5之间；将可透光粘胶材料由载板转移至基板上；设置至少一发光二极管晶片至可透光粘胶材料上；以及加热可透光粘胶材料以形成可透光粘胶层，使得发光二极管晶片固定至可透光粘胶层上。

在本揭露一实施方式中，加热可透光粘胶材料的最大温度范围约是在温度为110℃至150℃之间执行。

在本揭露一实施方式中，加热可透光粘胶材料以形成可透光粘胶层是在温度为80℃至160℃之间执行。