[发明专利]一种封装基板工艺有效
申请号: | 201911136790.5 | 申请日: | 2019-11-19 |
公开(公告)号: | CN112233988B | 公开(公告)日: | 2023-10-03 |
发明(设计)人: | 戚胜利;王健;孙彬;沈洪;李晓华 | 申请(专利权)人: | 江苏上达电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L25/065;H01L23/538;H01L23/36 |
代理公司: | 深圳市沃赢专利代理事务所(普通合伙) 44909 | 代理人: | 杨茵 |
地址: | 221300 江苏省徐州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 封装 工艺 | ||
1.一种高散热封装基板工艺,其特征在于:包括以下步骤:
S1、将三颗不同的芯片IC1、IC2、IC3按照尺寸和封装要求进行排列,根据芯片尺寸设计出铜支架,将芯片焊盘面置于相反方向,非焊盘面处于相对方向,放置到铜支架上并与铜支架结合;
S2、对结构板上芯片置位处与两面导通孔处加工形成台阶槽;
S3、将芯片所在的铜支架及导通用铜块放置在结构板加工出的台阶槽中;
S4、在结构板两面分别压合柔性隔绝材料层1及柔性隔绝材料层2;
S5、加工激光盲孔实现芯片焊盘与封装焊盘两面线路的导通,整板沉积形成底层铜,上下两面压合曝光干膜,并依次进行两面曝光、显影、镀铜形成两面线路,最后进行干膜剥离处理和底层铜蚀刻形成两面线路;
S6、两面压合柔性隔绝材料层3与柔性隔绝材料层4,其中柔性隔绝材料层3为芯片绝缘保护层,对柔性隔绝材料层4按照芯片封装的焊盘规格要求激光开窗、二次镀铜处理,形成封装焊盘,再进行表面处理后即可按照规格尺寸切割出芯片单体外形。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造