[发明专利]一种封装基板工艺

说明书

本发明提供一种高散热封装基板工艺，涉及芯片封装技术领域。该高散热封装基板工艺，包括以下步骤：S1、将三颗不同的芯片IC1、IC2、IC3按照尺寸和封装要求进行排列，根据芯片尺寸设计出铜支架，将芯片焊盘面置于相反方向，非焊盘面处于相对方向，放置到铜支架上并与铜支架结合；S2、对结构板上芯片置位处与两面导通孔处加工形成台阶槽；S3、将芯片所在的铜支架及导通用铜块放置在结构板加工出的台阶槽中；S4、在结构板两面分别压合柔性隔绝材料层1及柔性隔绝材料层2。本发明的方案采用整板生产加工，线路通过曝光完成线路图形转移，蚀刻完成线路成型，不需要Wire Bonding逐个焊盘进行打线连接，节约了时间和生产成本，提高了生产效率。

技术领域

本发明涉及芯片封装技术领域，具体为一种高散热封装基板工艺。

背景技术

芯片作为电路的控制及信号转换、传输的核心器件被广泛应用于电子信息行业，芯片在工作期间所消耗的电能，除去产生有用功外，大部分转化成热量散发，芯片产生的热量，使内部温度迅速上升，如果不及时将这些热量散发，芯片会继续升温，可靠性将下降，最后会因过热失效，因此在芯片封装过程中会尽量提高芯片散热能力，随着电子信息技术的快速发展，芯片性能呈现指数型提升，随之而来的是功耗上升带来的发热量增加，对芯片的散热能力有越来越高的要求。

目前被广泛应用于芯片封装领域的是Wire Bonding技术，使用金属丝(金线、铝线等)，利用热压或超声能源，完成微电子器件中固态电路内部互连接线的连接，即芯片与电路或引线框架之间的连接，根据现有技术加工原理可知芯片除封装焊盘位置的铜外只有打线金属与芯片接触，有效散热面积小同时载流能力不足，因此该封装方式难以适应高性能芯片的散热要求；另外Wire Bonding技术采用逐个焊盘打线的方式，生产效率低。

发明内容

(一)解决的技术问题

针对现有技术的不足，本发明提供了一种高散热封装基板工艺，解决了现有技术中存在的缺陷与不足。

(二)技术方案

为实现以上目的，本发明通过以下技术方案予以实现：一种高散热封装基板工艺，包括以下步骤：

S1、将三颗不同的芯片IC1、IC2、IC3按照尺寸和封装要求进行排列，根据芯片尺寸设计出铜支架，将芯片焊盘面置于相反方向，非焊盘面处于相对方向，放置到铜支架上并与铜支架结合；

S2、对结构板上芯片置位处与两面导通孔处加工形成台阶槽；

S3、将芯片所在的铜支架及导通用铜块放置在结构板加工出的台阶槽中；

S4、在结构板两面分别压合柔性隔绝材料层1及柔性隔绝材料层2；

S5、加工激光盲孔实现芯片焊盘与封装焊盘两面线路的导通，整板沉积形成底层铜，上下两面压合曝光干膜，并依次进行两面曝光、显影、镀铜形成两面线路，最后进行干膜剥离处理和底层铜蚀刻形成两面线路；

S6、两面压合柔性隔绝材料层3与柔性隔绝材料层4，其中柔性隔绝材料层3为芯片绝缘保护层，对柔性隔绝材料层4按照芯片封装的焊盘规格要求激光开窗、二次镀铜处理，形成封装焊盘，再进行表面处理后即可按照规格尺寸切割出芯片单体外形。

(三)有益效果

本发明提供了一种高散热封装基板工艺。具备以下有益效果：

1、本发明的方案采用整板生产加工，线路通过曝光完成线路图形转移，蚀刻完成线路成型，不需要Wire Bonding逐个焊盘进行打线连接，节约了时间和生产成本，提高了生产效率。

2、多颗芯片实现两面布线设计，容易实现更多数量芯片的集成式封装及更小的封装尺寸。

3、布线设计可尽量增大铜面积，提升芯片载流性能的同时提高散热性能，实现更高性能芯片的封装。